三星电子株式会社马太·别尔津斯获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利具有标准单元架构的电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN110707067B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201910551500.7,技术领域涉及:H01L23/528;该发明授权具有标准单元架构的电路是由马太·别尔津斯;查理斯·A·康奈尔设计研发完成,并于2019-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有标准单元架构的电路在说明书摘要公布了:一种具有标准单元架构的电路,其中标准单元架构提供对电源电压降的改进的抗扰性,并不在标准单元的连续行电源轨上引发电源电压降,且维持标准单元环境兼容性。电路包括形成于衬底上方不同距离处的第一金属层和第二金属层。至少一个第一标准单元驱动第一时序信号,且包含从第一金属层中的第一电源轨接收电力的至少一个晶体管。至少一个第二标准单元驱动第二时序信号,且包含从第二金属层中的第二电源轨接收电力的至少一个晶体管。第二电源轨具有低峰值噪声水平和低于第一金属层的电阻的电阻。
本发明授权具有标准单元架构的电路在权利要求书中公布了:1.一种具有标准单元架构的电路,所述电路包括: 第一金属层,形成于衬底上方第一距离处; 第二金属层,形成于所述衬底上方第二距离处,所述第二距离不同于所述第一距离; 至少一个第一标准单元,所述至少一个第一标准单元驱动第一时序信号,所述至少一个第一标准单元包括从所述第一金属层中的第一电源轨接收电力的至少一个晶体管; 至少一个第二标准单元,所述至少一个第二标准单元驱动第二时序信号,且所述至少一个第二标准单元包括从所述第二金属层中的第二电源轨接收电力的至少一个晶体管;以及第三电源轨,位于所述衬底上方等于所述第一距离的距离处,所述第三电源轨经由至少一个通孔电连接到所述第二电源轨,且所述至少一个第二标准单元经由所述第三电源轨连接到所述第二电源轨,其中所述至少一个第二标准单元的至少一个晶体管通过形成在所述衬底和所述第一金属层之间的通孔以及形成在所述第一金属层和所述第二金属层之间的电源连接来连接到所述第二电源轨,以及其中所述电源连接为在所述第一金属层和所述第二金属层之间的连续电源轨和堆叠的通孔的连接。
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