国际商业机器公司M.布林克获国家专利权
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龙图腾网获悉国际商业机器公司申请的专利具有微带波导的垂直transmon量子位器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111902942B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980021511.2，技术领域涉及：H10N69/00；该发明授权具有微带波导的垂直transmon量子位器件是由M.布林克;S.罗森布拉特;R.O.托帕洛格卢设计研发完成，并于2019-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有微带波导的垂直transmon量子位器件在说明书摘要公布了：一种芯片表面基底器件结构200，包括位于衬底106A，106B第一侧的超导材料214A，以及位于衬底第二侧且堆叠在第二衬底102上的第二超导材料104，其中衬底第一侧和衬底第二侧是相对的侧。在一个实施方式中，所述衬底或所述第二衬底，或者所述衬底和所述第二衬底是晶体硅。在一个实施方式中，芯片表面基底器件结构还包括transmon量子位，transmon量子位包括电容器和约瑟夫逊结，约瑟夫逊结形成在衬底的通孔中并且包括隧道势垒。在一个实施方式中，芯片表面基底器件结构还包括电耦合到transmon量子位的微带线。
本发明授权具有微带波导的垂直transmon量子位器件在权利要求书中公布了：1.一种使用金属上硅SOM衬底的芯片表面基底器件结构，包括： 位于所述衬底的第一侧上的超导材料； 第二超导材料，位于所述衬底的第二侧上并且堆叠在第二衬底上，其中，所述衬底的所述第一侧和所述衬底的所述第二侧是相对侧； transmon量子位，包括： 电容器；以及与所述电容器并联的约瑟夫逊结，其中所述约瑟夫逊结形成在所述衬底的通孔中并且包括隧道势垒；以及微带线，所述微带线由所述超导材料的一部分形成并且电耦合到所述transmon量子位,其中所述衬底和所述第二衬底包括晶体硅； 其中所述衬底与所述第二衬底互不接触。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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