国家研究委员会;意法半导体股份有限公司P·菲奥伦扎获国家专利权
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龙图腾网获悉国家研究委员会;意法半导体股份有限公司申请的专利基于碳化硅的电子器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111987163B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010443165.1，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权基于碳化硅的电子器件及其制造方法是由P·菲奥伦扎;F·罗卡福尔特;M·G·萨吉奥设计研发完成，并于2020-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于碳化硅的电子器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及基于碳化硅的电子器件及其制造方法。一种电子器件，包括：碳化硅SiC的半导体本体，该半导体本体具有沿第一方向彼此相对的第一面和第二面，在所述第一面上呈现正电荷载流子，该正电荷载流子形成了正界面电荷；第一导电端子，该第一导电端子在半导体本体的第一面延伸；第二导电端子，该第二导电端子在半导体本体的第二面延伸；半导体本体中的沟道区域，该沟道区域被配置为在使用中容纳第一导电端子和第二导电端子之间的电子流；以及绝缘材料的陷阱层，该陷阱层在所述沟道区域与半导体本体电接触地延伸，并且被设计成呈现生成负电荷的电子俘获状态，诸如至少部分地平衡所述正界面电荷。
本发明授权基于碳化硅的电子器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体电子器件，包括： 碳化硅的半导体本体，所述半导体本体具有彼此相对的第一面和第二面，所述半导体本体在所述第一面上具有正电荷载流子； 第一导电端子，所述第一导电端子在所述半导体本体的所述第一面处； 第二导电端子，所述第二导电端子在所述半导体本体的所述第二面处； 所述半导体本体中的沟道区域，所述沟道区域被配置为在使用中容纳所述第一导电端子和所述第二导电端子之间的电子流； 非晶绝缘材料的陷阱层，所述陷阱层在所述沟道区域与所述半导体本体电接触，所述陷阱层包括多个电子陷阱；以及界面，位于所述半导体本体与所述陷阱层之间，所述界面具有正电荷，所述多个电子陷阱生成负电荷，以至少部分地平衡所述正电荷。
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