ASM IP私人控股有限公司T.J.V.布兰考特获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉ASM IP私人控股有限公司申请的专利形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112242295B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010667639.0，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法是由T.J.V.布兰考特设计研发完成，并于2020-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法在说明书摘要公布了：本发明总体上涉及一种形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法，示例性实施例提供了一种在具有由顶表面、侧壁和底部限定的凹部的衬底上使用可流动碳基膜进行顶部选择性沉积的方法，其包括步骤：i在反应空间中在衬底的凹部中沉积可流动碳基膜直至凹部中可流动碳基膜的厚度达到预定的厚度，然后停止沉积步骤；和ii在基本上没有氢和氧的气氛中暴露碳基膜于氮等离子体以便选择性地在顶表面上重新沉积碳基膜。
本发明授权形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种使用可流动碳基膜在衬底上进行顶部选择性沉积的方法，所述衬底具有由顶表面、侧壁和底部限定的凹部，所述方法包括步骤： i在反应空间中在所述衬底的凹部中沉积可流动碳基膜，直到所述凹部中所述可流动碳基膜的厚度达到预定的厚度，然后停止沉积步骤；和ii在不含氢和氧的气氛中将所述碳基膜暴露于氮等离子体以在所述凹部中沉积碳基膜，其中，所述碳基膜选择性地在所述顶表面上重新沉积；以及iii通过等离子体灰化去除底部上的碳基膜的一部分，其中，所述等离子体灰化不去除顶表面上的碳基膜的全部，且重复步骤i、ii和iii，以形成顶部选择性沉积的碳基膜。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人ASM IP私人控股有限公司，其通讯地址为：荷兰阿尔梅勒；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励