英飞凌科技股份有限公司G·普法尔获国家专利权
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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利具有基于铝的接合焊盘材料的半导体衬底获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112542436B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010986411.8,技术领域涉及:H01L23/488;该发明授权具有基于铝的接合焊盘材料的半导体衬底是由G·普法尔;D·博洛夫斯基;M·S·布罗尔;M·克罗伊茨;E·纳佩特施尼格;H·舒尔策;S·韦勒特设计研发完成,并于2020-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有基于铝的接合焊盘材料的半导体衬底在说明书摘要公布了:半导体衬底100具有接合焊盘110。所述接合焊盘110包括铝合金层,所述铝合金所具有的化学成分包括选自Zn、Mg、Cu、Si和Sc的主要合金元素。如果主要合金元素是Cu,则所述化学成分还包括选自Ti、Mg、Ag和Zr的至少一种元素。
本发明授权具有基于铝的接合焊盘材料的半导体衬底在权利要求书中公布了:1.一种具有接合焊盘110的半导体衬底100,所述接合焊盘110包括铝合金层,其中,所述铝合金包括: AlZnMgCu、AlCuTiMgAg、AlCuZr、AlSc、AlMgZr、AlSiZr或AlMgSi,其余为附带的杂质。
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