宁波舜宇奥来技术有限公司刘滨获国家专利权
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龙图腾网获悉宁波舜宇奥来技术有限公司申请的专利基底、光学元件、电子设备和基底的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112612143B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011616831.3，技术领域涉及：G02B27/42；该发明授权基底、光学元件、电子设备和基底的制作方法是由刘滨;孙理斌;汪杰;陈远设计研发完成，并于2020-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本基底、光学元件、电子设备和基底的制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基底、光学元件、电子设备和基底的制作方法。基底包括：中心层，中心层的材料为PET；第一胶层，第一胶层与中心层的一侧表面连接；第二胶层，第二胶层与中心层远离第一胶层的一侧表面连接。本发明解决了现有技术中基底存在容易翘曲的问题。
本发明授权基底、光学元件、电子设备和基底的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种基底的制作方法，其特征在于，所述基底的制作方法包括： 在基体40上涂覆树脂材料形成具有第一胶层20的所述基体40； 在所述第一胶层20远离所述基体40的表面上涂覆PET材料，形成中心层10； 用紫外线对所述PET材料和具有所述第一胶层20的所述基体40进行照射； 将所述第一胶层20与所述基体40分离； 在所述基体40上涂覆所述树脂材料形成具有第二胶层30的所述基体40； 所述中心层10远离所述第一胶层20的一侧表面与所述第二胶层30接触结合； 用紫外线对中心层10和具有所述第二胶层30的所述基体40进行照射； 将所述第二胶层30与所述基体40分离，形成所述基底； 其中，所述中心层10的厚度大于等于0.1um且小于等于50um，所述第一胶层20的厚度大于等于1um且小于等于10um，所述第二胶层30的厚度大于等于1um且小于等于10um。
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