英飞凌科技股份有限公司O·黑尔蒙德获国家专利权
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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利包括电接触部与布置在电接触部上的金属层的半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112864120B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011355918.X，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权包括电接触部与布置在电接触部上的金属层的半导体装置是由O·黑尔蒙德;B·艾兴格;T·迈尔;I·穆里设计研发完成，并于2020-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括电接触部与布置在电接触部上的金属层的半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置包括：半导体裸片；电接触部，其布置在所述半导体裸片的表面上；和金属层，其布置在所述电接触部上，其中，所述金属层包括金属箔、金属片、金属引线框架和金属板中的至少一种的被单个化分割的部分。当沿垂直于所述半导体裸片的所述表面的方向观察时，所述电接触部的覆盖区和所述金属层的覆盖区基本上一致。
本发明授权包括电接触部与布置在电接触部上的金属层的半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种用于制造半导体装置的方法，包括： 提供包括多个凹部10的金属层8； 提供包括多个半导体裸片2的半导体晶片12，其中，每个所述半导体裸片2包括布置在所述半导体晶片12的表面14上的电接触部4； 将所述金属层8的位于相邻的凹部10之间的区段16与所述电接触部4对正； 将所述电接触部4和所述金属层8的所述区段16接合； 在所述接合之后，对半导体晶片12的背侧进行薄化，其中，所述方法还包括： 在将所述电接触部4和所述金属层8的所述区段16接合之前，用电绝缘材料18填充所述凹部10； 在将所述电接触部4和所述金属层8的所述区段16接合之后，从所述金属层8的表面上去除材料，直到在所述金属层8的表面处露出所述电绝缘材料18；和去除电绝缘材料18。
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