台湾积体电路制造股份有限公司林士尧获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利具有减小的高度的虚设鳍及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113078111B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011630339.1，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权具有减小的高度的虚设鳍及其形成方法是由林士尧;刘得涌;林志翰设计研发完成，并于2020-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有减小的高度的虚设鳍及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及具有减小的高度的虚设鳍及其形成方法。一种方法，包括：将第一突出半导体鳍和虚设鳍形成为突出得比隔离区域的顶表面高。第一突出半导体鳍平行于虚设鳍，在第一突出半导体鳍的第一部分和虚设鳍的第二部分上形成栅极堆叠件。该方法还包括使得第一突出半导体鳍的第三部分凹陷以形成凹槽，使得虚设鳍的第四部分凹陷以减小虚设鳍的第四部分的高度，以及在凹槽中形成外延半导体区域。外延半导体区域朝向虚设鳍生长。
本发明授权具有减小的高度的虚设鳍及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种用于形成半导体器件的方法，包括： 形成多个第一突出半导体鳍； 去除所述多个第一突出半导体鳍中一个或多个以形成与半导体衬底接触的虚设鳍，所述第一突出半导体鳍和虚设鳍突出得比隔离区域的顶表面高，其中，所述第一突出半导体鳍平行于所述虚设鳍，其中，所述第一突出半导体鳍具有第一高度； 在所述第一突出半导体鳍的第一部分和所述虚设鳍的第二部分上形成栅极堆叠件； 使得所述第一突出半导体鳍的第三部分凹陷以形成凹槽； 使得所述虚设鳍的第四部分凹陷以减小所述虚设鳍的第四部分的高度至第二高度，所述第二高度小于所述第一高度；以及在所述凹槽中形成外延半导体区域，其中，所述外延半导体区域朝向所述虚设鳍生长，其中，所述虚设鳍的第二部分具有第一底部宽度和第一顶部宽度，所述第一顶部宽度等于所述第一底部宽度，并且其中，所述虚设鳍的第四部分具有第二底部宽度和第二顶部宽度，所述第二顶部宽度小于所述第二底部宽度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励