株式会社FLOSFIA菅野亮平获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社FLOSFIA申请的专利晶体、半导体元件、半导体装置及半导体系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113113482B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110025009.8，技术领域涉及：H10D64/62；该发明授权晶体、半导体元件、半导体装置及半导体系统是由菅野亮平;今藤修;则松和良;加藤勇次设计研发完成，并于2021-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体、半导体元件、半导体装置及半导体系统在说明书摘要公布了：本发明涉及晶体、半导体元件、半导体装置及半导体系统。本发明提供一种对半导体元件有用的晶体及电气特性优异的半导体元件。使用一种晶体制作半导体元件，所述晶体具有刚玉结构，且包括结晶性氧化物作为主成分，所述结晶性氧化物含有镓或和铟，其特征在于，所述结晶性氧化物进一步包括元素周期表第4族金属，由制作的半导体元件制造功率卡等半导体装置，另外，由这些半导体元件或半导体装置构筑半导体系统。
本发明授权晶体、半导体元件、半导体装置及半导体系统在权利要求书中公布了：1.一种层叠结构体，其包括半导体层、所述半导体层上的晶体膜和所述晶体膜上的金属层，其特征在于，所述半导体层包括刚玉结构的结晶性氧化物半导体作为主成分，所述结晶性氧化物半导体含有镓或和铟，所述晶体膜的组成为α‑TiXGa1‑X2O3，0.5X1，所述金属层包括元素周期表第4族金属作为主成分。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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