旺宏电子股份有限公司赖二琨获国家专利权
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龙图腾网获悉旺宏电子股份有限公司申请的专利存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113192965B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010081653.2，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权存储器装置是由赖二琨;龙翔澜设计研发完成，并于2020-02-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器装置在说明书摘要公布了：本发明公开了存储器装置，包括叠层结构、存储元件、通道元件与半导体层。叠层结构包括源极层、绝缘层、与栅电极层。绝缘层在源极层上。栅电极层在绝缘层上。存储元件在栅电极层的电极侧壁表面上。存储单元定义在通道元件与栅电极层之间的存储元件中。半导体层电性连接在源极层与通道元件之间。半导体层与源极层之间具有一接口。接口是横向偏移在绝缘层的一绝缘侧壁表面的内侧。
本发明授权存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，包括： 一叠层结构，包括： 一源极层； 一第一绝缘层，在该源极层上；及多个栅电极层，在该第一绝缘层上； 一存储元件，在该些栅电极层的电极侧壁表面上； 一通道元件，其中多个存储单元定义在该通道元件与该些栅电极层之间的该存储元件中；及一半导体层，电性连接在该源极层与该通道元件之间，该半导体层与该源极层之间具有一接口，该接口是横向偏移在该第一绝缘层的一绝缘侧壁表面的内侧；半导体层包括一第一半导体部分、一第二半导体部分与一第三半导体部分，其中该第一半导体部分电性连接在该二半导体部分与该第三半导体部分之间，该第一半导体部分的一半导体侧壁表面是横向偏移在该第二半导体部分的一半导体侧壁表面的外侧，该第一半导体部分的该半导体侧壁表面是横向偏移在该第三半导体部分的一半导体侧壁表面的外侧。
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