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龙图腾网获悉株式会社迪思科申请的专利晶片的加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113299545B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110187256.8，技术领域涉及：H01L21/268；该发明授权晶片的加工方法是由寺西俊辅;冈田繁史;筑地修一郎;一宫佑希设计研发完成，并于2021-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶片的加工方法在说明书摘要公布了：本发明提供晶片的加工方法，容易地确认晶片是否在适当的条件下被加工。沿着分割预定线在晶片的内部形成改质层的晶片的加工方法具有如下的步骤：改质层形成步骤，从该晶片的背面侧照射第一激光束，在该晶片的内部形成改质层；观察用激光束照射步骤，将输出不超过该晶片的加工阈值的第二激光束的聚光点定位于该晶片的内部或正面，一边使该聚光点移动一边照射该第二激光束；拍摄步骤，利用拍摄单元对该第二激光束的反射光进行拍摄；以及判定步骤，根据在该拍摄步骤中拍摄到的图像，判定该晶片的加工状态，该第二激光束成形为与该第二激光束的行进方向垂直的面中的截面形状隔着沿着该分割预定线的轴线不线对称。

本发明授权晶片的加工方法在权利要求书中公布了：1.一种晶片的加工方法，沿着在正面设定有多条分割预定线的晶片的该分割预定线在该晶片的内部形成改质层，其特征在于，该晶片的加工方法包含如下的步骤： 保持步骤，使该晶片的该正面与卡盘工作台相对，利用该卡盘工作台对该晶片进行保持； 改质层形成步骤，一边将对于该晶片具有透过性的波长的第一激光束的聚光点定位于该晶片的内部并使激光束照射单元和该卡盘工作台在沿着该分割预定线的方向上相对地移动，一边沿着该分割预定线从该晶片的背面侧照射该第一激光束，在该晶片的内部形成该改质层； 观察用激光束照射步骤，在该改质层形成步骤之后，将输出不超过该晶片的加工阈值并且对于该晶片具有透过性的波长的观察用的第二激光束的聚光点定位于该晶片的内部或该正面，一边使该晶片和观察用的第二激光束的该聚光点在沿着该分割预定线的方向上相对地移动，一边从该晶片的该背面侧照射该第二激光束； 拍摄步骤，利用拍摄单元对在该观察用激光束照射步骤中照射的该第二激光束的反射光进行拍摄；以及判定步骤，根据在该拍摄步骤中拍摄到的图像，判定该晶片的加工状态，在该观察用激光束照射步骤中照射在该晶片上的该第二激光束的成形方式满足：在与该第二激光束的行进方向垂直的面中，其截面形状相对于沿着该分割预定线的轴线不线对称。

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