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龙图腾网获悉瑞萨电子株式会社申请的专利制造半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113314428B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110162639.X，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权制造半导体器件的方法是由佐藤嘉昭;椀泽光伸;松本明;出口善宣;齐藤健太郎设计研发完成，并于2021-02-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本制造半导体器件的方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种制造半导体器件的方法。在根据一个实施例的制造半导体器件的方法中，在提供包括非易失性存储器、焊盘以及包括有机材料的绝缘膜的半导体晶片之后，使探针接触位于第二区域中的焊盘的表面，并且数据被写入到非易失性存储器。在此，通过对有机材料执行第一热处理来形成绝缘膜。而且，在对半导体晶片执行第二热处理并检查其中被写入数据的非易失性存储器之后，通过使用电镀法来在位于第一区域中的焊盘的表面上形成阻挡层和第一焊料材料。此外，通过对第一焊料材料执行第三热处理来在第一区域中形成凸块电极。

本发明授权制造半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括： a提供半导体晶片，所述半导体晶片包括： 半导体衬底； 非易失性存储器，形成在所述半导体衬底中； 焊盘，形成在所述半导体衬底上并且与所述非易失性存储器电连接，并且所述焊盘包括铝；以及绝缘膜，形成在所述半导体衬底上并且包括有机材料，其中所述焊盘的表面具有： 第一区域，在所述绝缘膜的第一开口部分中露出；以及第二区域，在所述绝缘膜的与所述第一开口部分不同的第二开口部分中露出，并且其中通过对所述有机材料执行多次第一热处理来形成所述绝缘膜； b在所述a之后，通过使探针接触位于所述第二区域中的所述焊盘的表面来将数据写入到所述非易失性存储器； c在所述b之后，对所述半导体晶片执行多次第二热处理，并检查在所述b中被写入所述数据的所述非易失性存储器，其中所述第二热处理的温度低于所述第一热处理的温度，并且其中每一次的所述第二热处理的时间比每一次的所述第一热处理的时间长； d在所述c之后，通过使用电镀法在位于所述第一区域中的所述焊盘的表面上形成包括镍的阻挡层； e在所述d之后，通过使用所述电镀法在所述阻挡层上形成包括锡的第一焊料材料；以及f在所述e之后，通过对所述第一焊料材料执行多次第三热处理，在位于所述第一区域中的所述焊盘的表面上经由所述阻挡层形成凸块电极，其中所述第三热处理的温度低于所述第一热处理的温度，并且其中每一次的所述第三热处理的时间短于每一次的所述第二热处理的时间。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人瑞萨电子株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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