台湾积体电路制造股份有限公司贾汉中获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利存储器件和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113380816B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110177479.6，技术领域涉及：H10B53/30；该发明授权存储器件和方法是由贾汉中;林仲德;杨丰诚;林孟汉;王圣祯设计研发完成，并于2021-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器件和方法在说明书摘要公布了：在实施例中，一种存储器件包括：位于衬底上方的第一介电层；位于该第一介电层上方的字线，该字线包括第一主层和第一粘合层，该第一粘合层沿该第一主层的底面、顶面和第一侧壁延伸；位于该字线上方的第二介电层；延伸穿过该第二介电层和第一介电层的第一位线；以及设置在该第一位线与字线之间的数据存储带，该数据存储带沿字线的第二侧壁延伸。本发明的实施例还涉及形成存储器件的方法。
本发明授权存储器件和方法在权利要求书中公布了：1.一种形成存储器件阵列的方法，包括： 在多层堆叠中蚀刻第一沟槽，所述多层堆叠包括交替的介电层和牺牲层； 用第一导电部件替换由所述第一沟槽暴露的所述牺牲层的第一部分； 在所述第一沟槽中形成第一数据存储带和第一半导体带； 在形成所述第一数据存储带和所述第一半导体带之后，在所述多层堆叠中刻蚀第二沟槽； 用第二导电部件替换由所述第二沟槽暴露的所述牺牲层的第二部分；以及在所述第二沟槽中形成第二数据存储带和第二半导体带，其中，相邻的所述第一导电部件和所述第二导电部件物理接触且电耦合，并且相邻的所述第一导电部件和所述第二导电部件形成所述存储器件阵列的同一行中存储单元的公共字线。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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