三星电子株式会社李珉贤获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113497138B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011501211.5，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权场效应晶体管是由李珉贤;薛珉洙;赵连柱;申铉振设计研发完成，并于2020-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本场效应晶体管在说明书摘要公布了：本公开提供了场效应晶体管。一种场效应晶体管包括基板、在基板上且在第一方向上彼此间隔开的源电极和漏电极、多个沟道层、围绕所述多个沟道层中的每个的栅绝缘膜、以及围绕栅绝缘膜的栅电极。所述多个沟道层中的每个具有接触源电极和漏电极的端部。所述多个沟道层在远离基板的第二方向上彼此间隔开。所述多个沟道层包括2D半导体材料。
本发明授权场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种场效应晶体管，包括： 基板； 源电极和漏电极，在所述基板上并在第一方向上彼此间隔开； 在所述基板上的多个沟道层，所述多个沟道层中的每个具有分别接触所述源电极和所述漏电极的两端，所述多个沟道层在远离所述基板的第二方向上彼此间隔开，并且所述多个沟道层包括2D半导体材料； 栅绝缘膜，围绕所述多个沟道层中的每个；以及栅电极，围绕所述栅绝缘膜，其中所述2D半导体材料包括过渡金属硫属化物，所述多个沟道层中的至少一个在所述第二方向上的厚度大于0nm且小于或等于1nm，所述多个沟道层中的至少一个在所述第一方向上的长度大于0nm且小于或等于3nm，其中所述多个沟道层包括在所述第一方向上具有不同长度的第一沟道层和第二沟道层，所述第一沟道层和所述第二沟道层在垂直于所述第一方向和所述第二方向中的每个的第三方向上具有不同的宽度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励