大塚电子株式会社冈本宗大获国家专利权
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龙图腾网获悉大塚电子株式会社申请的专利光学测定系统、多层膜制造装置和光学测定方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113532296B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110399632.X，技术领域涉及：G01B11/06；该发明授权光学测定系统、多层膜制造装置和光学测定方法是由冈本宗大;山崎雄介设计研发完成，并于2021-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本光学测定系统、多层膜制造装置和光学测定方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种光学测定系统、多层膜制造装置和光学测定方法。光学测定系统包括：光源，其用于产生测定光；受光部，其接受向试样照射测定光产生的反射光或透射光作为观测光；以及生成部，其基于表示试样的最上层的光学特性的第一矩阵和表示试样的除最上层以外的层的光学特性的第二矩阵来生成理论干涉光谱。光学测定系统还包括：拟合部，其以使理论干涉光谱与观测光的光谱即实测干涉光谱一致的方式更新试样的最上层的膜厚，由此决定该膜厚；以及更新部，其使用由拟合部决定出的膜厚来更新第二矩阵。
本发明授权光学测定系统、多层膜制造装置和光学测定方法在权利要求书中公布了：1.一种光学测定系统，将由多层膜制造装置依次形成于基板上的一个或多个层作为试样进行测定，所述光学测定系统具备： 光源，其用于产生测定光； 受光部，其接受向所述试样照射所述测定光产生的反射光或透射光作为观测光；以及生成部，其基于表示所述试样的最上层的光学特性的第一矩阵和表示所述试样的除最上层以外的层的光学特性的第二矩阵来生成理论干涉光谱，所述第一矩阵包括所述试样的最上层的膜厚作为参数，所述光学测定系统还具备： 拟合部，其以使所述理论干涉光谱与所述观测光的光谱即实测干涉光谱一致的方式更新所述试样的最上层的膜厚，由此决定该膜厚；以及更新部，其使用由所述拟合部决定出的膜厚，将由所述第二矩阵表示光学特性的层和决定了该膜厚的层视作合成后的单一的层，来更新所述第二矩阵以使其表示该单一的层的光学特性。
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