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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器及三维存储器的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113889477B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111030792.3，技术领域涉及：H10B41/10；该发明授权三维存储器及三维存储器的制作方法是由张中;张帜;周文犀;夏志良设计研发完成，并于2020-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维存储器及三维存储器的制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种三维存储器及三维存储器的制作方法，在三维存储器中，通过位于叠层结构中且将叠层结构划分为第一核心结构、第二核心结构和桥接结构的功能台阶结构设计，实现了功能台阶结构对两侧存储单元区块的双边驱动，降低了驱动存储单元区块时的电阻，明显改善了驱动时延问题；将功能台阶结构设计为相互错开的第一台阶结构与第二台阶结构，使得功能台阶结构化整为零，减小了整个功能台阶结构的体积，降低了功能台阶结构对第一核心结构及第二核心结构的应力影响，提高了结构稳定性；将功能台阶结构设计为相互错开的第一台阶结构与第二台阶结构，还能进行同步修剪刻蚀，减少了掩膜的数量和分步修剪刻蚀的次数。

本发明授权三维存储器及三维存储器的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器，其特征在于，包括： 叠层结构，由交替堆叠的介质层和栅极层构成，其包括第一核心结构和第二核心结构； 功能台阶结构，位于所述叠层结构的第一核心结构与第二核心结构之间，所述台阶结构包括第一台阶结构和第二台阶结构，所述第一台阶结构与所述第二台阶结构沿第一方向排列，所述第一台阶结构和所述第二台阶结构在所述第一方向上彼此面对，在所述叠层结构的堆叠方向上，所述第一台阶结构与所述第二台阶结构中同一级台阶的顶面存在高度差； 桥接结构，设置在所述叠层结构的第一核心结构与第二核心结构之间，多个所述功能台阶结构沿第二方向依次排列，相邻两个所述功能台阶结构被一个所述桥接结构隔绝开，且所述第一核心结构和所述第二核心结构通过所述桥接结构电连接； 其中，所述第二方向垂直于所述第一方向，所述第一方向和所述第二方向构成堆叠平面，所述堆叠方向垂直于所述堆叠平面；所述第一台阶结构与所述第二台阶结构分别包括若干沿所述第一方向延伸的第一台阶，所述第一台阶结构中的第一台阶与所述第一核心结构电连接，所述第二台阶结构中的第一台阶与所述第二核心结构电连接。

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