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龙图腾网获悉西安微电子技术研究所申请的专利一种高精度运算放大器的抗辐射加固结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113992162B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111276011.9，技术领域涉及：H03F1/30；该发明授权一种高精度运算放大器的抗辐射加固结构是由兰蕾;魏海龙;王勇;陈斌设计研发完成，并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高精度运算放大器的抗辐射加固结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高精度运算放大器的抗辐射加固结构，包括运算放大器的输入级电路，所述输入级电路中的输入差分对管采用三极管QD1和三极管QD2形成输入NPN对管；输入NPN对管的版图结构采用四管交叉结构；三极管QD1和三极管QD2的发射极与集电极之间设置有铝线，发射极与铝线的间距为5‑8μm。通过在运算放大器的输入级电路中将输入NPN对管的版图采用四管交叉共重心结构，版图结构上要求四管必须足够靠近并将面积裕量用来增加发射极面积以减小失调和噪声电压。本发明中利用现有NPN管设计面积，结合工艺规则，输入NPN对管的版图结构进行修正，实现国产电路辐照后参数合格。并且本发明的版图结构改进后不影响电路其他性能。

本发明授权一种高精度运算放大器的抗辐射加固结构在权利要求书中公布了：1.一种高精度运算放大器的抗辐射加固结构，其特征在于，包括运算放大器的输入级电路，所述输入级电路中的输入差分对管采用三极管QD1和三极管QD2形成输入NPN对管； 输入NPN对管的版图结构采用四管交叉结构；三极管QD1和三极管QD2的发射极与集电极之间设置有铝线，发射极与铝线的间距为5‑8μm，所述输入级电路的输入NPN对管包括电容C6、电阻R12和电阻R11，电阻R12的一端连接正电源，电阻R11的一端连接正电源，电容C6的一端连接正电源，电阻R12的另一端连接电阻R8的一端、电容C1的一端和电容C6的另一端，电容C1的另一端连接电阻10的一端；电阻R11的一端分别连接电阻R9的一端和电阻R10的另一端，电阻R8的另一端连接三极管QD1的集电极，电阻R9的一端连接三极管QD2的集电极； 三极管QD1的基极和三极管QD2的基极之间连接有二极管Q1、Q2、Q3和Q4组成的桥电路，三极管QD1的发射极和三极管QD2的发射极均分别连接负电源。

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