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龙图腾网获悉赛普拉斯半导体公司申请的专利次级控制的反激转换器中的初级控制器与次级控制器之间的通信故障指示获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114026773B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080047231.1，技术领域涉及：H02M1/08；该发明授权次级控制的反激转换器中的初级控制器与次级控制器之间的通信故障指示是由A·坎梅斯拉;H·莱;P·沙阿设计研发完成，并于2020-06-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本次级控制的反激转换器中的初级控制器与次级控制器之间的通信故障指示在说明书摘要公布了：描述了在次级控制的反激转换器中的初级控制器与次级控制器之间传送故障指示。在一个实施例中，一种装置包括耦接到反激变压器的初级侧场效应晶体管FET，所述反激变压器耦接到所述初级侧FET，以及耦接到反激变压器的初级侧控制器。初级侧控制器被配置为跨电隔离屏障从次级侧控制器接收信号，响应于该信号将脉冲信号施加到初级侧FET以导通和关断初级侧FET，通过将脉冲信号的第一脉冲宽度改变为第二脉冲宽度并且将具有第二脉冲宽度的脉冲信号施加到初级侧FET来将跨反激变压器信息传送到次级侧控制器。

本发明授权次级控制的反激转换器中的初级控制器与次级控制器之间的通信故障指示在权利要求书中公布了：1.一种用于次级控制的交流到直流AC‑DC反激转换器的方法，包括： 由所述次级控制的交流到直流AC‑DC反激转换器中的初级侧控制器跨电隔离屏障从次级侧控制器接收控制信号； 由所述初级侧控制器将所述控制信号转换为具有第一脉冲宽度的第一脉冲信号； 由所述初级侧控制器响应于转换所述控制信号而将所述第一脉冲信号施加到初级侧场效应晶体管FET，所述初级侧场效应晶体管耦接到所述次级控制的交流到直流AC‑DC反激转换器中的反激变压器，所述第一脉冲信号用于导通或关断所述初级侧场效应晶体管FET；以及由所述初级侧控制器通过改变具有所述第一脉冲宽度的所述第一脉冲信号以生成具有第二脉冲宽度的第二脉冲信号并且将具有所述第二脉冲宽度的所述第二脉冲信号施加到所述初级侧场效应晶体管FET，来跨所述反激变压器将信息传送到所述次级侧控制器，所述第二脉冲信号用于导通或关断所述初级侧场效应晶体管FET，其中，改变具有所述第一脉冲宽度的所述第一脉冲信号包括：将所述控制信号转换为具有所述第二脉冲宽度的所述第二脉冲信号，并且其中，将所述信息传送到所述次级侧控制器包括：通过施加具有所述第二脉冲宽度的一个或多个附加脉冲来跨所述反激变压器的第二电隔离屏障传送关于故障状况的信息，所述一个或多个附加脉冲使所述次级侧控制器使用负感测NSN来检测变低的次级侧场效应晶体管FET的次级漏极上的电压。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人赛普拉斯半导体公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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