福建省晋华集成电路有限公司何新悦获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利动态随机存取存储器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114038850B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111403345.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权动态随机存取存储器及其制作方法是由何新悦;刘自豪;周阳设计研发完成，并于2021-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本动态随机存取存储器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种动态随机存取存储器及其制作方法，包括衬底、设置在衬底内的隔离结构、设置在衬底上的多条位线、设置在位线之间并与有源区直接接触的多个存储节点接触插塞，以及分别设置在存储节点接触插塞上并且与位线部分重叠的多个存储节点接触垫，其中存储节点接触垫包括位于位线正上方的第一侧壁以及位于存储节点接触插塞正上方的第二侧壁。所述动态随机存取存储器还包括金属氮化物层，至少覆盖在存储节点接触垫的第一侧壁和第二侧壁上。
本发明授权动态随机存取存储器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种动态随机存取存储器，其特征在于，包括： 衬底； 隔离结构，设置在所述衬底内，以在所述衬底中定义多个有源区； 多条位线，设置在所述衬底上； 多个存储节点接触插塞，设置在所述位线之间并与所述有源区直接接触； 多个存储节点接触垫，分别设置在所述存储节点接触插塞上并且与所述位线的顶面部分重叠，其中，所述存储节点接触垫包括位于所述位线正上方的第一侧壁，以及位于所述存储节点接触插塞正上方的第二侧壁；以及金属氮化物层，至少覆盖在所述存储节点接触垫的所述第一侧壁和所述第二侧壁上； 半导体层，位于存储节点接触插塞下方，并且直接接触所述衬底，所述半导体层的底面低于所述衬底的顶面；阻障层，设置在所述半导体层、所述位线以及所述存储节点接触插塞之间； 其中，所述金属氮化物层位于所述第一侧壁上的部分与所述阻障层的顶面直接接触，并且与所述阻障层的侧壁在垂直方向上切齐；所述金属氮化物层还覆盖在所述存储节点接触插塞的顶面上与位线侧壁上的阻障层的侧壁直接接触，并且与所述阻障层的顶面在水平方向上切齐。
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