三星电子株式会社柳成然获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068390B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110895452.0，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权半导体器件及其制造方法是由柳成然;金恩靓设计研发完成，并于2021-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：公开了半导体器件及其制造方法。在该半导体器件中，当执行间隙填充工艺以填充有源图案之间的区域时，支撑图案可以用于固定有源图案的上部，因此，可以防止或减少有源图案弯曲或倒塌的可能性。因此，可以减少半导体器件的故障和或提高半导体器件的可靠性。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 具有多个沟槽的衬底； 绝缘图案，覆盖所述多个沟槽的底表面和所述多个沟槽的内侧表面；以及由所述多个沟槽限定的有源图案，其中所述有源图案在第一方向上彼此间隔开并且彼此平行，所述第一方向平行于所述衬底的顶表面，以及所述有源图案的相对最顶端中的至少一个具有阶梯式部分，其中，所述阶梯式部分包括底表面和侧表面，并且所述底表面平行于所述有源图案的顶表面，所述绝缘图案与所述多个沟槽的底表面、顶表面和内侧表面以及阶梯式部分的底表面和侧表面连续接触，所述绝缘图案覆盖所述有源图案的顶表面和所述多个沟槽的顶表面，以及所述绝缘图案具有平坦的顶表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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