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龙图腾网获悉恒劲科技股份有限公司申请的专利半导体封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068508B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110851757.1，技术领域涉及：H10D80/20；该发明授权半导体封装结构是由许哲玮设计研发完成，并于2021-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体封装结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体封装结构，其包括一第一介电层、一整合芯片、一第二功率芯片、一第一图案化导电层、一第二图案化导电层、一第一导电黏着部、一第二导电黏着部、多个第一导电连接组件、多个第二导电连接组件，并于下方包括一增层线路结构，其中整合芯片包括一控制芯片及一第一功率芯片。本发明采用将控制芯片及第一功率芯片整合为单一芯片的设置方式，以进一步缩小半导体封装结构的体积。此外，本发明还提供一种半导体封装结构的制造方法。

本发明授权半导体封装结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括： 一第一介电层，具有相对设置的一第一表面及一第二表面； 一第一图案化导电层，嵌设于该第一介电层内，且其中的一侧表面露出于该第一介电层的该第二表面； 一整合芯片，嵌设于该第一介电层中，包括： 一控制芯片，具有一主动面及一背面，且该控制芯片以该背面通过一第一导电黏着部黏着于该第一图案化导电层；以及一第一功率芯片，为一高端场效晶体管芯片，且具有设置有一第一电极布局的一第一正面，并且具有设置有一第二电极布局的一第一背面，且该第一功率芯片以该第二电极布局通过该第一导电黏着部电性连接及黏着于该第一图案化导电层； 一第二图案化导电层，位于该第一介电层的该第一表面，且通过多个铜材或铜合金材的第一导电连接组件分别电性连接于该第一功率芯片的该第一电极布局及该控制芯片的该主动面； 一第二导电连接组件，嵌设于该第一介电层内，且电性连接于该第一图案化导电层与该第二图案化导电层之间； 一第二介电层，包覆住该第二图案化导电层，且具有相对设置的一第三表面及一第四表面，并且以该第四表面连接于该第一介电层的该第一表面； 一第二功率芯片，为嵌设于该第二介电层中的一低端场效晶体管芯片，且具有设置有一第三电极布局的一第二正面，并且具有设置有一第四电极布局的一第二背面，且该第二功率芯片以该第四电极布局通过一第二导电黏着部电性连接及黏着于该第二图案化导电层，该第二功率芯片与该整合芯片于一投影方向部分重叠； 一第三图案化导电层，嵌设于该第二介电层内，且其中的一侧表面露出于该第二介电层的该第三表面，并且通过多个铜材或铜合金的第四导电连接组件而与该第二功率芯片的该第三电极布局电性连接；以及多个第三导电连接组件，嵌设于该第二介电层内，且电性连接于该第二图案化导电层与该第三图案化导电层之间。

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