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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构、形成方法以及掩膜版获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068558B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010760792.8，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权半导体结构、形成方法以及掩膜版是由王楠设计研发完成，并于2020-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构、形成方法以及掩膜版在说明书摘要公布了：一种半导体结构、形成方法以及掩膜版，半导体结构的形成方法包括：提供基底，基底包括沿第一行依次排布的第一器件区、伪器件区、第二器件区以及第三器件区，沿第二行依次排布的第三器件区、第二器件区、伪器件区以及第一器件区，且第一行中的第一器件区、伪器件区、第二器件区以及第三器件区分别与第二行中的第一器件区、伪器件区、第二器件区以及第三器件区互为中心对称排布。本发明实施例，第一遮挡层露出第一器件区和伪器件区，第一遮挡层露出的面积较大，使得第一遮挡层的工艺窗口较大，降低了形成第一遮挡层的工艺难度，提高了第一遮挡层的套刻精度。

本发明授权半导体结构、形成方法以及掩膜版在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括衬底、分立于所述衬底上的沟道结构、横跨所述沟道结构的伪栅结构，所述伪栅结构覆盖所述沟道结构的部分顶壁和部分侧壁，所述基底包括沿第一行依次排布的第一器件区、伪器件区、第二器件区以及第三器件区，沿第二行依次排布的第三器件区、第二器件区、伪器件区以及第一器件区，且第一行中的第一器件区、伪器件区、第二器件区以及第三器件区分别与第二行中的第一器件区、伪器件区、第二器件区以及第三器件区互为中心对称排布； 去除所述伪栅结构，形成栅极开口； 形成栅极开口后，形成第一遮挡层，所述第一遮挡层露出所述第一器件区和伪器件区，或者所述第一遮挡层露出所述第三器件区和第二器件区。 所述第一遮挡层的形成步骤包括：形成覆盖所述第一器件区、第二器件区、第三器件区以及伪器件区的遮挡材料层；图形化所述遮挡材料层，剩余的所述遮挡材料层，作为第一遮挡层；其中，所述第一遮挡层的形成步骤包括：形成覆盖所述第一器件区、第二器件区、第三器件区以及伪器件区的遮挡材料层；图形化所述遮挡材料层，剩余的所述遮挡材料层，作为第一遮挡层。

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