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龙图腾网获悉德州仪器公司申请的专利具有折叠通道及折叠漂移区的MOS晶体管及形成MOS晶体管的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068717B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110848378.7，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权具有折叠通道及折叠漂移区的MOS晶体管及形成MOS晶体管的方法是由S·D·海尼;A·萨多夫尼科夫设计研发完成，并于2021-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有折叠通道及折叠漂移区的MOS晶体管及形成MOS晶体管的方法在说明书摘要公布了：本申请案涉及具有折叠通道及折叠漂移区的MOS晶体管及形成所述MOS晶体管的方法。半导体装置100包含折叠漏极扩展金属氧化物半导体DEMOS晶体管106。所述半导体装置100具有包含带有波纹顶表面116的半导体材料104的衬底102。所述波纹顶表面116具有上部118、下部120、从所述上部118延伸到所述下部120的第一横向部分122及从所述上部118延伸到所述下部120的第二横向部分124。所述折叠DEMOS晶体管106包含所述半导体材料104中的主体108、所述主体108之上的栅极电介质层128上的栅极130、接触所述主体108的漂移区112及场板电介质层126上的场板132，其全都沿着所述波纹顶表面116的所述上部118、所述第一横向部分122、所述第二横向部分124及所述下部120连续地延伸。公开形成所述折叠DEMOS晶体管106的方法。

本发明授权具有折叠通道及折叠漂移区的MOS晶体管及形成MOS晶体管的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其包括： 包含半导体材料的衬底，所述半导体材料具有波纹顶表面，所述波纹顶表面包含上部、下部、从所述上部延伸到所述下部的第一横向部分及从所述上部延伸到所述下部的第二横向部分；及折叠漏极扩展金属氧化物半导体晶体管，其包含： 所述半导体材料中的主体，所述主体具有第一导电类型，所述主体沿着所述上部、所述第一横向部分、所述第二横向部分及所述下部连续地延伸； 所述主体上的栅极电介质层，所述栅极电介质层沿着所述上部、所述第一横向部分、所述第二横向部分及所述下部连续地延伸； 所述栅极电介质层上的栅极，所述栅极沿着所述上部、所述第一横向部分、所述第二横向部分及所述下部连续地延伸；及所述半导体材料中的漂移区，所述漂移区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，所述漂移区沿着所述上部、所述第一横向部分、所述第二横向部分及所述下部连续地延伸，且沿着所述上部、所述第一横向部分、所述第二横向部分及所述下部连续地接触所述主体。

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