重庆大学卢旭获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利一种高效率提高半导体载流子浓度的非常规掺杂方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114094004B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111360614.7，技术领域涉及：H10N10/01；该发明授权一种高效率提高半导体载流子浓度的非常规掺杂方法是由卢旭;周小元;黄玉玲;张斌;王桂文设计研发完成，并于2021-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高效率提高半导体载流子浓度的非常规掺杂方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高效率提高半导体载流子浓度的非常规掺杂方法，涉及半导体技术领域。一种高效率提高半导体载流子浓度的非常规掺杂方法：制造半导体原有元素的空位缺陷，加入少量异质原子稳定原子用于稳定缺陷。在具有氩气保护环境的手套箱中精确称量原料，称量后置于石英管中真空封管，然后将装有原料的石英管置于马沸炉中，充分反应后，取出石英管，在冷水中淬火迅速冷却，接着在450℃退火，退火后倒入玛瑙研磨钵中研磨，之后通过热压烧结技术制成致密性良好的块体材料。本发明方法可提高半导体掺杂的效率，在高效提高半导体载流子浓度的同时不损害其载流子迁移率，大幅提升了半导体的电学性能。
本发明授权一种高效率提高半导体载流子浓度的非常规掺杂方法在权利要求书中公布了：1.一种高效率提高半导体载流子浓度的非常规掺杂方法，其特征在于，操作步骤如下： S1.精确称量原料，称量后置于石英管中真空封管； S2.将装有原料的石英管置于马沸炉中，充分反应后，取出石英管于冷水中淬火冷却，之后于450℃进行退火； S3.退火后的样品倒入玛瑙研磨钵中研磨，之后通过热压烧结技术制成致密性良好的块体材料； 所述原料在具有氩气的手套箱中称量； 所述原料为Cu3Sb1‑δSe4‑ x CuAlSe2，所述Cu3Sb1‑δSe4‑ x CuAlSe2的质量比x=2wt%、3wt%、4wt%、5wt%、6wt%、或7 wt%； 所述步骤S2中马沸炉以5℃min‑1的速率升温至900℃，保温12小时。
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