三星电子株式会社崔贤根获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利三维半导体存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121968B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110483367.3，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权三维半导体存储器装置是由崔贤根;金恩知;文钟淏;文泂烈;俞瀚植;李基硕;郑承宰;安泰炫;韩相然;黄有商设计研发完成，并于2021-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维半导体存储器装置在说明书摘要公布了：提供了三维半导体存储器装置。所述三维半导体存储器装置可以包括：第一基底，包括位线连接区和字线连接区；单元阵列结构，位于第一基底上；第二基底，包括第一核心区和第二核心区，第一核心区与位线连接区叠置，第二核心区与字线连接区叠置；以及外围电路结构，位于第二基底上。
本发明授权三维半导体存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种三维半导体存储器装置，所述三维半导体存储器装置包括： 第一基底，包括位线连接区和设置在位线连接区的侧部处的字线连接区； 单元阵列结构，位于第一基底上； 第二基底，包括第一核心区和第二核心区，第一核心区与位线连接区叠置，第二核心区与字线连接区叠置；以及外围电路结构，位于第二基底上，其中，单元阵列结构包括：字线，堆叠在第一基底上；位线，沿与第一基底的顶表面垂直的第一方向与字线交叉；第一下金属垫，设置在位线连接区上并连接到位线；以及第二下金属垫，设置在字线连接区上并连接到字线，其中，外围电路结构包括：感测放大器，设置在第一核心区上；子字线驱动器，设置在第二核心区上；第一上金属垫，设置在第一核心区上并连接到感测放大器；以及第二上金属垫，设置在第二核心区上并连接到子字线驱动器，其中，第一下金属垫结合到第一上金属垫，并且第二下金属垫结合到第二上金属垫。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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