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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利镜像位SONOS闪存单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121993B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111436898.3，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权镜像位SONOS闪存单元是由钱文生设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本镜像位SONOS闪存单元在说明书摘要公布了：本发明公开了一种镜像位SONOS闪存单元，包括选择管和存储管，选择管为增强型MOS晶体管并具有第一阈值电压，存储管为耗尽型SONOS存储晶体管且在未存储电荷的状态下具有第二阈值电压。选择管和存储管共用第一导电类型重掺杂的源区和漏区，源漏区之间形成有第一导电类型轻掺杂的沟道掺杂层。在沟道掺杂层上设置有选择管的第一栅极结构和存储管的第二栅极结构。第一栅极结构的第一栅极导电材料层具有第一功函数，第二栅极结构的第二栅极导电材料层具有第二功函数。通过第一功函数调节第一阈值电压，通过第二功函数调节第二阈值电压。本发明能简化选择管和存储管的沟道掺杂层的形成工艺，有利于整个选择管、存储管和整个单元的沟道长度的缩小。

本发明授权镜像位SONOS闪存单元在权利要求书中公布了：1.一种镜像位SONOS闪存单元，其特征在于，包括：选择管和存储管，所述选择管为增强型MOS晶体管并具有第一阈值电压，所述存储管为耗尽型SONOS存储晶体管且在未存储电荷的状态下具有第二阈值电压； 所述选择管和所述存储管共用形成于半导体衬底上的第一导电类型重掺杂的源区和漏区，所述源区和漏区之间的半导体衬底表面形成有第一导电类型轻掺杂的沟道掺杂层； 在所述沟道掺杂层上设置有选择管的第一栅极结构和存储管的第二栅极结构，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构对所述沟道掺杂层进行分段控制； 所述第一栅极结构由第一栅介质层和第一栅极导电材料层叠加而成； 所述第二栅极结构由第二栅存储介质层和第二栅极导电材料层叠加而成；所述第二栅存储介质层采用ONO层； 所述第一栅极导电材料层具有第一功函数，所述第二栅极导电材料层具有第二功函数； 所述沟道掺杂层在位于所述源区和所述漏区之间具有相同的掺杂工艺结构，以利于缩小沟道长度； 所述第一阈值电压和所述第二阈值电压的差值通过所述第一功函数和所述第二功函数的差值设置，通过所述第一功函数调节所述选择管的第一阈值电压并使所述选择管为增强型MOS晶体管，通过所述第二功函数调节所述存储管的第二阈值电压并使所述存储管为耗尽型SONOS存储晶体管； 镜像位SONOS闪存单元为1.5T型结构； 所述沟道掺杂层上设置有两个所述第二栅极结构，两个所述第二栅极结构对称设置在一个所述第一栅极结构的两侧。

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