中芯北方集成电路制造(北京)有限公司蔡巧明获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯北方集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114156334B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010928090.6，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由蔡巧明;乔欢设计研发完成，并于2020-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括用于形成第一器件的第一区域和用于形成第二器件的第二区域，第一器件大于第二器件的工作电压，基底上形成有沿第一方向延伸、且由下而上依次堆叠的高k栅介质层、金属阻挡层和多晶硅栅极，多晶硅栅极两侧基底中形成有源漏掺杂区；在多晶硅栅极侧部的基底上形成层间介质层；在第一区域的多晶硅栅极中形成第一沟槽，包括沿第一方向延伸的竖向沟槽、以及与竖向沟槽的端部相连通的横向沟槽，横向沟槽沿第二方向延伸；去除第二区域的多晶硅栅极，在层间介质层中形成栅极开口；在第一沟槽和栅极开口中形成金属栅极。本发明降低了第一器件的栅极电阻，从而提高半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，包括用于形成第一器件的第一区域和用于形成第二器件的第二区域，所述第一器件的工作电压大于所述第二器件的工作电压，所述第一区域和第二区域的基底上形成有沿第一方向延伸、且由下而上依次堆叠的高k栅介质层、金属阻挡层和多晶硅栅极，所述多晶硅栅极两侧的基底中形成有源漏掺杂区； 在所述多晶硅栅极侧部的基底上形成层间介质层，所述层间介质层覆盖所述多晶硅栅极的侧壁； 在所述第一区域的所述多晶硅栅极中形成第一沟槽，所述第一沟槽包括沿所述第一方向延伸的竖向沟槽、以及与所述竖向沟槽的端部相连通的横向沟槽，所述横向沟槽沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相垂直； 去除所述第二区域的多晶硅栅极，在所述层间介质层中形成栅极开口； 在所述第一沟槽和栅极开口中形成金属栅极；所述金属栅极不仅形成在横向沟槽中，还形成在竖向沟槽中。
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