中国电子科技集团公司第二十四研究所;中电科技集团重庆声光电有限公司张培健获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第二十四研究所;中电科技集团重庆声光电有限公司申请的专利低温漂集成点火桥结构及其制造方法、半导体封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242695B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111473012.2，技术领域涉及：H01L23/64；该发明授权低温漂集成点火桥结构及其制造方法、半导体封装结构是由张培健;陈仙;唐新悦;洪敏;廖希异;王妍;邱盛;蒋飞宇;任芳设计研发完成，并于2021-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本低温漂集成点火桥结构及其制造方法、半导体封装结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种低温漂集成点火桥结构及其制造方法、半导体封装结构，低温漂集成点火桥结构包括基底、低温漂薄膜电阻及保护膜；在本发明中，沿着电流的流向，低温漂薄膜电阻两端的横向尺寸大于中间的横向尺寸，有效电阻区为中间区域，设计时通过调节中间区域的线宽即可有效调节电阻值的大小，点火桥结构的电阻值掌控调节比较方便；同时，低温漂薄膜电阻上设置有保护膜，能有效防止低温漂薄膜电阻的表面被氧化，提升了低温漂薄膜电阻的结构稳定性，改善了点火桥结构的点火性能；低温漂薄膜电阻的材质采用铬硅合金等低温漂系数的金属材质，其电阻温度系数相对较低，保证了点火桥结构电阻的低温漂特性，特别适用于低温高温等极端环境下的芯片引爆。
本发明授权低温漂集成点火桥结构及其制造方法、半导体封装结构在权利要求书中公布了：1.一种低温漂集成点火桥结构，其特征在于，包括： 基底单元； 低温漂薄膜电阻，嵌在所述基底单元中，其表面与所述基底单元的表面齐平，且沿着电流的流向，两端的横向尺寸大于中间的横向尺寸； 保护膜，设置在所述低温漂薄膜电阻上并完全覆盖所述低温漂薄膜电阻； 其中，所述低温漂薄膜电阻包括依次串接的第一电极、电阻丝和第二电极，沿着所述电流的流向，所述第一电极的横向尺寸大于所述电阻丝的横向尺寸，所述第二电极的横向尺寸大于所述电阻丝的横向尺寸。
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