格芯(美国)集成电路科技有限公司S·P·阿杜苏米利获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利用于增强热导率和RF屏蔽的有源区下具有掩埋导体的衬底获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114300425B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111005043.5，技术领域涉及：H01L23/367；该发明授权用于增强热导率和RF屏蔽的有源区下具有掩埋导体的衬底是由S·P·阿杜苏米利;M·D·雷维;R·哈兹布恩;A·约瑟夫;S·本特利设计研发完成，并于2021-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于增强热导率和RF屏蔽的有源区下具有掩埋导体的衬底在说明书摘要公布了：本发明涉及用于增强热导率和RF屏蔽的有源区下具有掩埋导体的衬底。提供了一种半导体器件，该半导体器件包括衬底，在衬底中具有合并腔。有源区位于衬底中的合并腔之上。导热层位于衬底中的合并腔中，其中导热层至少部分地填充衬底中的合并腔。第一接触柱连接衬底中合并腔中的导热层与有源区上方的金属化层。
本发明授权用于增强热导率和RF屏蔽的有源区下具有掩埋导体的衬底在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 衬底，在所述衬底中具有合并腔； 有源区，其位于所述衬底中的所述合并腔之上； 导热层，其位于所述衬底中的所述合并腔中，其中所述导热层至少部分地填充所述衬底中的所述合并腔； 第一接触柱，其连接所述衬底中的所述合并腔中的所述导热层与所述有源区上方的金属化层；以及电介质衬里，其位于所述衬底中的所述合并腔的上部的侧壁之上，其中所述电介质衬里部分地覆盖所述衬底中的所述合并腔的下部。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人格芯(美国)集成电路科技有限公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励