中国航天科工集团八五一一研究所李由获国家专利权
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龙图腾网获悉中国航天科工集团八五一一研究所申请的专利一种基于氧化铟锡薄膜的可透光超宽带电磁屏蔽器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114336071B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111595250.0，技术领域涉及：H01Q15/00；该发明授权一种基于氧化铟锡薄膜的可透光超宽带电磁屏蔽器是由李由;练志峰;孙永志;黄铭初;邢贝贝设计研发完成，并于2021-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于氧化铟锡薄膜的可透光超宽带电磁屏蔽器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于氧化铟锡薄膜的可透光超宽带电磁屏蔽器，为中空的矩形壳体，其六个侧壁的组成结构均相同，侧壁采用硼硅玻璃作为基板，当作用在电磁衰减场景时，在硼硅玻璃外表面设置ITO薄膜，在ITO薄膜上刻蚀图案；当作用在电磁屏蔽场景时，在硼硅玻璃内、外表面分别设置ITO薄膜，并分别刻蚀图案。
本发明授权一种基于氧化铟锡薄膜的可透光超宽带电磁屏蔽器在权利要求书中公布了：1.一种基于氧化铟锡薄膜的可透光超宽带电磁屏蔽器，其特征在于：为中空的矩形壳体，其六个侧壁的组成结构均相同，侧壁采用硼硅玻璃作为基板，当作用在电磁衰减场景时，在硼硅玻璃外表面设置ITO薄膜，在ITO薄膜上刻蚀图案；当作用在电磁屏蔽场景时，在硼硅玻璃内、外表面分别设置ITO薄膜，并分别刻蚀图案； 两种不同作用时，ITO薄膜上刻蚀图案均相同； 每个侧壁分别划分为由若干个600μmх600μm的单元，并在ITO薄膜上进行刻蚀，将上述单元的四条侧边上分别对称刻蚀掉400μmх100μm的矩形后得到刻蚀图案单元，刻蚀掉的矩形分别关于图案单元的中心轴线对称，各刻蚀图案单元共同形成刻蚀图案； ITO 薄膜厚度为18.5μm，硼硅玻璃厚度为1400μm，将ITO薄膜的方阻设置为5Ωm2。
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