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龙图腾网获悉科能芯(深圳)半导体有限公司申请的专利一种耗尽型功率器件的直驱电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114400996B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111441624.3，技术领域涉及：H03K17/687；该发明授权一种耗尽型功率器件的直驱电路是由章涛;李继华;朱廷刚;范剑平设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种耗尽型功率器件的直驱电路在说明书摘要公布了：本发明提供一种耗尽型功率器件的直驱电路，属于电子技术领域，直驱电路包括：耗尽型功率器件，栅极与驱动电路的输出端连接；P型MOSFET，源极与耗尽型功率器件的源极连接；供电电压检测电路，与P型MOSFET的栅极以及供电电压连接；第一二极管，正极连接至驱动电路与耗尽型功率器件的栅极之间，负极与P型MOSFET的漏极连接；第一电容，一端与驱动电路的接地端连接，另一端与耗尽型功率器件的源极连接；第一电阻，一端连接至第一电容与耗尽型功率器件的源极之间，另一端连接至供电电压检测电路与P型MOSFET的栅极之间。可通过驱动电路直接驱动耗尽型功率器件，提高了驱动速度并降低了驱动损耗。

本发明授权一种耗尽型功率器件的直驱电路在权利要求书中公布了：1.一种耗尽型功率器件的直驱电路，其特征在于，所述耗尽型功率器件的直驱电路包括： 驱动电路，VCC端与供电电压连接； 耗尽型功率器件，栅极与所述驱动电路的输出端连接； P型MOSFET，源极与所述耗尽型功率器件的源极连接； 供电电压检测电路，第一输出端与所述P型MOSFET的栅极连接，输入端与所述供电电压连接；第一二极管，正极连接至所述驱动电路的输出端与所述耗尽型功率器件的栅极之间，负极与所述P型MOSFET的漏极连接； 第一电容，一端与所述驱动电路的接地端连接，另一端连接至所述耗尽型功率器件的源极与所述P型MOSFET的源极之间； 第一电阻，一端连接至所述第一电容与所述耗尽型功率器件的源极之间，另一端连接至所述供电电压检测电路的输出端与所述P型MOSFET的栅极之间； 开关管，一端与所述供电电压连接，另一端连接至所述耗尽型功率器件的源极与所述P型MOSFET的源极之间； 在所述供电电压大于设定阈值时，所述P型MOSFET导通，所述耗尽型功率器件的源极为供电电压，在所述驱动电路输出高电平时，所述耗尽型功率器件的栅极为高电平，所述耗尽型功率器件导通，在所述驱动电路输出低电平时，所述耗尽型功率器件的栅极为低电平，所述耗尽型功率器件关断。

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