国际商业机器公司A·杜塔获国家专利权
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龙图腾网获悉国际商业机器公司申请的专利通过从线切割电介质的过孔掩模的选择性生长来在线端部放置顶部过孔获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114402428B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080064744.3，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权通过从线切割电介质的过孔掩模的选择性生长来在线端部放置顶部过孔是由A·杜塔;E·德希尔瓦;D·梅茨勒;J·阿诺德设计研发完成，并于2020-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本通过从线切割电介质的过孔掩模的选择性生长来在线端部放置顶部过孔在说明书摘要公布了：本发明的实施例涉及用于在互连结构100的线端部放置自对准顶部过孔802的制造方法和所得结构。在本发明的非限制性实施例中，在互连结构100的金属化层中形成线特征102。线特征102可以包括线硬掩模104。在线特征102中形成沟槽106以暴露线特征102的线末端。用主体材料202填充沟槽106，并且在线特征102的第一线端部上形成生长抑制物402。在线特征102的第二线路端部上形成过孔掩模602。过孔掩模602可以选择性地生长在主体材料202的暴露表面上。未被该过孔掩模602覆盖的线路特征102的部分被凹陷以在第二线端部限定自对准顶部过孔802。
本发明授权通过从线切割电介质的过孔掩模的选择性生长来在线端部放置顶部过孔在权利要求书中公布了：1.一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括： 在互连结构的金属化层中形成线特征，所述线特征包括线硬掩模； 在所述线特征中形成沟槽，以暴露所述线特征的线端部； 用主体材料填充所述沟槽； 在所述线特征的所述线端部中的第一线端部上形成生长抑制物； 在所述线特征的所述线端部中的第二线端部上形成过孔掩模，所述过孔掩模选择性地生长在所述主体材料的暴露表面上；以及使未被所述过孔掩模覆盖的所述线特征的部分凹陷，以在所述第二线端部处限定自对准顶部过孔。
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