武汉市聚芯微电子有限责任公司胡伟晗获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉市聚芯微电子有限责任公司申请的专利用于血氧检测的像素单元及包括其的无创血氧检测仪获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114497102B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210140087.7，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权用于血氧检测的像素单元及包括其的无创血氧检测仪是由胡伟晗;姜珲;金勇杰;权锐设计研发完成，并于2022-02-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于血氧检测的像素单元及包括其的无创血氧检测仪在说明书摘要公布了：本发明涉及用于血氧检测的像素单元及包括其的无创血氧检测仪。一种用于血氧检测的像素单元可包括：半导体衬底；光栅，覆盖所述半导体衬底的第一区域，所述第一区域用作所述像素单元的感光区；转移栅，与所述光栅间隔开一距离，并且覆盖所述半导体衬底的第二区域，所述光栅和所述转移栅与所述半导体衬底之间形成有栅极绝缘层；以及浮置扩散区，形成在所述半导体衬底的与所述转移栅相邻的第三区域中。本发明的像素单元简化了像素结构和制造工艺，能降低制造成本，同时还能减小噪声。
本发明授权用于血氧检测的像素单元及包括其的无创血氧检测仪在权利要求书中公布了：1.一种用于血氧检测的像素单元，包括： 半导体衬底； 光栅，覆盖所述半导体衬底的第一区域，所述第一区域用作所述像素单元的感光区； 转移栅，与所述光栅间隔开一距离，并且覆盖所述半导体衬底的第二区域，其中，所述光栅和所述转移栅与所述半导体衬底之间分别形成有栅极绝缘层、半导体层和金属层，并且所述光栅对应的半导体层和金属层之间的接触电势差具有与所述转移栅对应的半导体层和金属层之间的接触电势差相反的正负符号； 浮置扩散区，形成在所述半导体衬底的与所述转移栅覆盖的第二区域相邻的第三区域中。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉市聚芯微电子有限责任公司，其通讯地址为：430270 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城C4栋4楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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