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龙图腾网获悉诺瓦尔德股份有限公司申请的专利第一和第二有机半导体层以及包括所述第一和第二有机半导体层的有机电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114503297B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080066558.3，技术领域涉及：H10K85/60；该发明授权第一和第二有机半导体层以及包括所述第一和第二有机半导体层的有机电子器件是由埃莱娜·嘉兰加西亚;本杰明·舒尔策;沃洛季米尔·森科维斯基;弗拉迪米尔·乌瓦罗夫设计研发完成，并于2020-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本第一和第二有机半导体层以及包括所述第一和第二有机半导体层的有机电子器件在说明书摘要公布了：本发明涉及第一和第二有机半导体层以及包括该第一和第二有机半导体层的有机电子器件，其中所述有机电子器件包括阳极、第一有机半导体层、第二有机半导体层和阴极；其中a所述第一有机半导体层包含：金属掺杂剂，和式I的化合物：以及b所述第二有机半导体层包含至少一种轴烯化合物。

本发明授权第一和第二有机半导体层以及包括所述第一和第二有机半导体层的有机电子器件在权利要求书中公布了：1.一种有机电子器件，所述有机电子器件包括阳极、第一有机半导体层、第二有机半导体层和阴极；其中a所述第一有机半导体层包含： 金属掺杂剂，和式I的化合物： 其中，Ar1和Ar2相同或不同并且独立地选自氢、被取代或未被取代的C6至C36芳基、被取代或未被取代的C3至C36杂芳基，其中，Ar1和Ar2基团中的至少一者包含被取代或未被取代的C3至C36杂芳基； L是单键、被取代或未被取代的C6至C18芳亚基、被取代或未被取代的C3至C18杂芳亚基、被取代或未被取代的苯亚基、被取代或未被取代的联苯亚基、被取代或未被取代的三联苯亚基、被取代或未被取代的蒽亚基、被取代或未被取代的二苯并呋喃亚基、被取代或未被取代的二苯并噻吩亚基、被取代或未被取代的咔唑亚基、被取代或未被取代的吡啶亚基、被取代或未被取代的苯基吡啶亚基、被取代或未被取代的喹啉亚基； Ar3是选自被取代或未被取代的C6至C36芳基、被取代或未被取代的C6至C36芳亚基、被取代或未被取代的C3至C36杂芳基基团、被取代或未被取代的C3至C36杂芳亚基基团、被取代的吡嗪亚基、被取代的嘧啶亚基、被取代或未被取代的吖啶亚基、被取代或未被取代的苯并吖啶亚基、被取代或未被取代的二苯并吖啶亚基、被取代或未被取代的二苯并呋喃亚基、被取代或未被取代的咔唑亚基、被取代或未被取代的苯并喹啉亚基、被取代或未被取代的菲啶亚基、被取代或未被取代的菲咯啉亚基、被取代或未被取代的二萘并呋喃亚基、被取代或未被取代的苯并[4,5]咪唑并[1,2‑a]喹啉亚基、或被取代或未被取代的二萘并噻吩亚基的基团； Ar4是独立地选自H、被取代或未被取代的C6至C18芳基、被取代或未被取代的C3至C20杂芳基、未被取代的苯基、未被取代的联苯基、未被取代的萘基、未被取代的蒽基、未被取代的菲啶基、未被取代的吡啶基、未被取代的喹啉基、未被取代的嘧啶基的基团，或者具有式II或III，其中所述式II和III的基团是被取代或未被取代的，并且X2选自NH、NR2、S、O或CR12； n为0、1、2、3或4； 其中L、Ar1、Ar2、Ar3、Ar4和或N的取代基独立地选自： ‑H、C6至C18芳基、C3至C20杂芳基、C1至C16烷基、C1至C16烷氧基、C3至C16支链烷基、C3至C16环状烷基、C3至C16支链烷氧基、C3至C16环状烷氧基、部分或全氟化的C1至C16烷基、部分或全氟化的C1至C16烷氧基、部分或全氘化的C1至C16烷基、部分或全氘化的C1至C16烷氧基、‑PX3R22、D、F或CN； ‑R1和R2独立地选自C6至C12芳基、C3至C12杂芳基、C1至C16烷基、C1至C16烷氧基、部分或全氟化的C1至C16烷基、部分或全氟化的C1至C16烷氧基、部分或全氘化的C1至C16烷基、部分或全氘化的C1至C16烷氧基，并且‑两个R1可以连接在一起以形成环‑X3选自S或O；以及b所述第二有机半导体层包含至少一种轴烯化合物。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人诺瓦尔德股份有限公司，其通讯地址为：德国德累斯顿；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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