福建兆元光电有限公司解向荣获国家专利权
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龙图腾网获悉福建兆元光电有限公司申请的专利一种氮化镓发光二极管外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551660B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210148854.9，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种氮化镓发光二极管外延片及其制备方法是由解向荣;吴永胜;刘恒山;马野设计研发完成，并于2022-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化镓发光二极管外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氮化镓发光二极管外延片及其制备方法，在衬底上依次生长氮化铝薄膜缓冲层、非掺杂氮化镓层和非掺杂铝镓氮层；在非掺杂铝镓氮层上生长第一重掺杂N型氮化镓层，对第一重掺杂N型氮化镓层进行粗化和边缘处理，能够增加出光角度并且释放第一重掺杂N型氮化镓层中的应力；在第一重掺杂N型氮化镓层上生长二氧化硅层，对二氧化硅层进行图形化刻蚀并露出第一重掺杂N型氮化镓层的表面，能够利用二氧化硅层不导电的特性让载流子在从N到P的方向上移动；在第一重掺杂N型氮化镓层和二氧化硅层上生长第二重掺杂N型氮化镓层。
本发明授权一种氮化镓发光二极管外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，包括步骤： 在衬底上依次生长氮化铝薄膜缓冲层、非掺杂氮化镓层和非掺杂铝镓氮层； 在所述非掺杂铝镓氮层上生长第一重掺杂N型氮化镓层，对所述第一重掺杂N型氮化镓层进行粗化和边缘处理； 在所述第一重掺杂N型氮化镓层上生长二氧化硅层，对所述二氧化硅层进行图形化刻蚀并露出所述第一重掺杂N型氮化镓层的表面； 在所述第一重掺杂N型氮化镓层和所述二氧化硅层上生长第二重掺杂N型氮化镓层； 在所述第一重掺杂N型氮化镓层和所述二氧化硅层上生长第二重掺杂N型氮化镓层包括： 在所述第一重掺杂N型氮化镓层和所述二氧化硅层上，以垂直方向生长速度大于水平方向生长速度来生长第二重掺杂N型氮化镓层。
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