第一传感器股份有限公司S.多布里茨获国家专利权
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龙图腾网获悉第一传感器股份有限公司申请的专利芯片模块，芯片模块的用途，测试布置和测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114597186B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111458775.X，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权芯片模块，芯片模块的用途，测试布置和测试方法是由S.多布里茨;C.芬德森;M.皮耶谢尔设计研发完成，并于2021-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片模块，芯片模块的用途，测试布置和测试方法在说明书摘要公布了：一种芯片模块包括：芯片1，具有前侧11和后侧12；芯片载体2，具有面向芯片1的上侧21；接触层3，由导电材料形成且在芯片1的后侧12和芯片载体2的上侧21之间布置在芯片载体2的上侧21上；以及导电粘合剂4，布置在接触层3的面向芯片1的上侧321上。导电粘合剂4连接接触层3的上侧321和芯片1的后侧12。接触层3具有多个区域3A，3B，多个区域彼此电隔离且各自通过导电粘合剂4电连接到芯片1。
本发明授权芯片模块，芯片模块的用途，测试布置和测试方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片模块，包括： 芯片1，具有前侧11和后侧12； 芯片载体2，具有面向所述芯片1的上侧21； 接触层3，由导电材料形成，且在所述芯片1的后侧12和所述芯片载体2的上侧21之间布置在所述芯片载体2的上侧21上；以及导电粘合剂4，布置在所述接触层3的面向所述芯片1的上侧321上，所述导电粘合剂4连接所述接触层3的上侧321和所述芯片1的后侧12，所述接触层3具有多个区域3A，3B，所述多个区域彼此电隔离且各自通过所述导电粘合剂4电连接到所述芯片1； 其中，所述多个区域3A，3B中的至少两个具有镀覆通孔31，所述镀覆通孔从所述芯片载体2的上侧21延伸到所述芯片载体2的底侧22，所述镀覆通孔31具有延伸穿过所述镀覆通孔31的通道35，所述接触层3布置在所述通道35中，以及在所述镀覆通孔31与所述芯片1之间； 非导电粘合剂6，所述非导电粘合剂布置在所述芯片载体2和所述芯片1之间，并将所述芯片载体2的上侧21连接到所述芯片1的后侧12，该非导电粘合剂6布置在接触层3上，并布置在相互隔离的区域的上侧上的子区域中，非导电粘合剂6覆盖相邻的两个相互隔离的区域。
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