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龙图腾网获悉甬矽半导体(宁波)有限公司申请的专利扇出型封装结构和扇出型封装结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114613735B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210233236.4，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权扇出型封装结构和扇出型封装结构的制备方法是由胡彪;白胜清设计研发完成，并于2022-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本扇出型封装结构和扇出型封装结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了一种扇出型封装结构和扇出型封装结构的制备方法，涉及半导体封装技术领域，该扇出型封装结构中，布线组合层在远离芯片的一侧表面还设置有多个焊接凹槽，多个焊接凹槽分布在导电焊球的至少两侧，并靠近导电焊球的底部设置，在将封装结构焊接在基板上时，当导电焊球与基板上的焊球发生偏移时，且偏移量超过焊盘位置时，焊球可以熔融流入焊接凹槽，只要两个焊球侧壁结合，就可以在焊接凹槽内形成新的焊接位置，提升焊接可靠性和结合力。同时其余未流入焊料的焊接凹槽，一方面可以提高扇出型封装底部的散热空气接触面积，从而提高散热能力，另一方面还可以减少翘曲，起到缓冲热应力的作用，避免封装结构变形。

本发明授权扇出型封装结构和扇出型封装结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种扇出型封装结构，其特征在于，包括： 芯片； 包覆在所述芯片外的塑封体； 设置在所述塑封体一侧的布线组合层； 设置在所述布线组合层远离所述芯片一侧的导电焊球； 其中，所述布线组合层与所述芯片电连接，所述导电焊球与所述布线组合层电连接，所述布线组合层远离所述芯片的一侧表面设置有焊接凹槽，所述焊接凹槽分布在所述导电焊球的至少一侧； 所述导电焊球为多个，每相邻两个所述导电焊球之间设置有至少两个所述焊接凹槽，每个所述焊接凹槽均呈矩形，且相邻两个所述焊接凹槽的延伸方向不同，以使至少一个所述焊接凹槽能够减缓焊料的流动，并阻挡焊料向周围扩散；多个所述焊接凹槽阵列设置在所述布线组合层上，且相邻两个所述焊接凹槽的延伸方向相垂直； 所述布线组合层远离所述芯片的一侧表面还设置有辅助焊球，所述辅助焊球设在所述导电焊球的周围，以使每相邻两个所述导电焊球之间均设置有所述辅助焊球；每个所述辅助焊球包括焊球本体和金属柱，所述金属柱设置在所述布线组合层上，所述焊球本体设置在所述金属柱上，每个所述金属柱的截面均呈矩形，且相邻两个所述金属柱的截面的长轴方向不同；多个所述辅助焊球阵列设置在所述布线组合层上，沿同一直线方向上每相邻两个所述金属柱的截面的长轴夹角相同，且位于中心的所述金属柱的截面的长轴方向与位于边缘的所述金属柱的截面的长轴方向相垂直，由中心向两侧边缘延伸的方向上，多个所述辅助焊球呈旋转设计。

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