华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司董俊获国家专利权
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龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利一种光刻方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114675504B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210336655.0，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种光刻方法是由董俊;张其学;陈骆;王雷设计研发完成，并于2022-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光刻方法在说明书摘要公布了：本发明一种光刻方法，包括：根据散焦缺陷图形，确定晶圆表面的散焦缺陷位置是否固定；若散焦缺陷位置固定，则根据所述初始掩模版图和所述散焦缺陷图形，确定散焦缺陷位置对应的分割版图；调整所述散焦缺陷位置对应的所述分割版图的曝光参数；利用所有的分割版图对晶圆依次进行曝光。本申请通过固定散焦缺陷位置，再利用初始掩模版图和散焦缺陷图形确定所述散焦缺陷位置对应的所述分割版图，以此调整所述散焦缺陷位置对应的所述分割版图的曝光参数，从而在光刻工艺中就提前调整转印到晶圆上的掩膜版图形的位置，避免了在化学机械研磨晶圆表面时，晶圆表面产生负荷效应导致晶圆上的部分区域被过研磨或者不充分研磨的问题，提高了器件的良率。
本发明授权一种光刻方法在权利要求书中公布了：1.一种光刻方法，其特征在于，初始掩模版图由若干块阵列式排布的分割版图组成，用于将设计的图形完整地转印到晶圆上，所述光刻方法包括： 根据至少两个批次的已曝光晶圆的散焦缺陷图形，确定晶圆表面的散焦缺陷位置是否固定； 若所述散焦缺陷位置固定，则将所述初始掩模版图和所述散焦缺陷图形叠放，以确定所述散焦缺陷位置对应的所述分割版图； 调整所述散焦缺陷位置对应的所述分割版图的曝光偏移量； 利用所有的分割版图对待曝光的晶圆依次进行曝光。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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