上海华力集成电路制造有限公司王飞舟获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利光学临近效应的修正方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114740688B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210235443.3,技术领域涉及:G03F1/36;该发明授权光学临近效应的修正方法是由王飞舟;张月雨;汪悦设计研发完成,并于2022-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本光学临近效应的修正方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种光学临近效应的修正方法,获取包含目标图形的第一版图;定义出目标图形中的热点结构,热点结构满足:临近的两个凸角结构,且凸角结构的邻边长度均于大于最小版图设计图形尺寸;以及两个凸角正对的边距离不小于设置距离;在正对两个凸角结构间合并一个矩形图形,矩形图形的长边平行于两个凸角结构正对的边,矩形图形的短边垂直于两个凸角结构正对的边,且矩形图形的中心点位于两个凸角结构两顶点间直线段的中点,从而得到第二版图;对第二版图进行光学临近效应修正,得到第三版图,之后通过光刻将第三版图曝光在晶圆上。本发明修正后的结果不会引起MRC报错,且图形中心位置关键尺寸符合目标值,效果优于传统修正方法。
本发明授权光学临近效应的修正方法在权利要求书中公布了:1.一种光学临近效应的修正方法,其特征在于,至少包括: 步骤一、获取包含目标图形的第一版图; 步骤二、定义出所述目标图形中的热点结构,所述热点结构满足: 临近的两个凸角结构,且所述凸角结构的邻边长度均大于最小版图设计图形尺寸;以及两个所述凸角正对的边距离不小于设置距离; 步骤三、在正对两个所述凸角结构间合并一个矩形图形,所述矩形图形的长边平行于两个所述凸角结构正对的边,所述矩形图形的短边垂直于两个所述凸角结构正对的边,且所述矩形图形的中心点位于两个所述凸角结构两顶点间直线段的中点,并且其中两个所述凸角结构的正对平行长度不小于所述矩形图形的所述长边,所述矩形图形的所述短边长度为两个所述凸角结构间的距离,或者,两个所述凸角结构的正对平行长度小于所述矩形图形的所述长边,所述矩形图形的所述短边长度大于两个所述凸角结构间的距离,从而得到第二版图; 步骤四、对所述第二版图进行光学临近效应修正,得到第三版图,之后通过光刻将所述第三版图曝光在晶圆上。
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