群创光电股份有限公司刘敏钻获国家专利权
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龙图腾网获悉群创光电股份有限公司申请的专利感测装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114758366B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110038147.X，技术领域涉及：G06V40/13；该发明授权感测装置是由刘敏钻;刘侑宗设计研发完成，并于2021-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本感测装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种感测装置以及一种显示装置，其中，感测装置包含由多个透镜和多个感测单元所组成的多个感测组合。多个感测单元用来收集反射光线通过多个透镜后的光线，而每一感测组合采用过一个感测单元对应多个透镜的架构来提供高准确度的指纹辨识。
本发明授权感测装置在权利要求书中公布了：1.一种感测装置，其特征在于，包含： 多个感测组合，所述多个感测组合中的至少一者包含至少两个透镜和一个感测单元； 其中，所述多个感测组合中的至少一者能够让被侦测的光线通过所述至少两个透镜后被所述感测单元所收集，且所述感测单元包含： 一上电极； 一下电极； 一低掺杂本征层，设置在所述上电极跟所述下电极之间； 一第一半导体层，设置在所述上电极跟所述低掺杂本征层之间； 一第二半导体层，设置在所述下电极跟所述低掺杂本征层之间；以及一导电层，设置在所述第一半导体层跟所述上电极之间，且接触所述第一半导体层跟所述上电极，其中在一剖面中，所述导电层的宽度大于所述上电极的宽度，且所述下电极的宽度大于所述上电极的宽度；以及至少一薄膜晶体管，其包含： 一第三半导体层； 一闸极，设置在所述第三半导体层上； 一源极区电极，设置在所述第三半导体层上；以及一漏极区电极，设置在所述第三半导体层上，其中所述源极区电极和所述漏极区电极中其中之一耦接至所述下电极。
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