联华电子股份有限公司谢柏光获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利纳米线晶体管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114792682B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110101854.9，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权纳米线晶体管及其制作方法是由谢柏光;蔡世鸿;洪庆文;林俊贤设计研发完成，并于2021-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本纳米线晶体管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种纳米线晶体管及其制作方法，其中该制作纳米线晶体管的方法为，首先形成一通道结构于一基底上，其中该通道结构包含多个第一半导体层及多个第二半导体层交错堆叠，然后形成一栅极结构于该通道结构上，再形成一源极漏极结构于该栅极结构旁，其中源极漏极结构包含石墨烯。
本发明授权纳米线晶体管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种制作纳米线晶体管的方法，其特征在于，包含： 形成通道结构于基底上，其中该通道结构包含多个第一半导体层及多个第二半导体层交错堆叠； 形成栅极结构于该通道结构上； 形成源极漏极结构于该栅极结构旁，其中该源极漏极结构包含石墨烯； 形成层间介电层环绕该栅极结构； 形成接触洞于该层间介电层内； 形成第一阻障层于该源极漏极结构的表面以及该接触洞的内侧侧壁上； 形成硅化金属层于该接触洞内且直接接触该源极漏极结构； 形成石墨烯层于该硅化金属层上； 形成第二阻障层于该石墨烯层上，其中该第一阻障层、该石墨烯层以及该第二阻障层顺次堆叠在该接触洞的内侧侧壁上； 形成金属层于该第二阻障层上；以及平坦化该金属层、该阻障层以及该石墨烯层以形成接触插塞于该层间介电层内并电连接该源极漏极结构。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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