买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利半导体装置及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114792720B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210071008.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法是由池田宗谦;新田哲也;原田健司设计研发完成，并于2022-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：提供抑制了耐压降低的半导体装置及半导体装置的制造方法。IGBT区域10具有：n型载流子积蓄层2，其与n‑型漂移层1接触而设置于n‑型漂移层1的第1主面1a侧，与n‑型漂移层1相比n型杂质浓度高；p型基极层15，其设置于n型载流子积蓄层2和1主面1a之间；n+型的发射极层13，其选择性地设置于p型基极层15的表层部；以及栅极电极11a，其设置为隔着绝缘膜与n+型发射极层13及p型基极层15相对，二极管区域20具有p型阳极层25，其设置于n‑型漂移层1和第1主面1a之间，并设置于距离第1主面1a的深度比n型载流子积蓄层2和n‑型漂移层1的边界深的位置为止。

本发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其在半导体基板上具有IGBT区域和二极管区域，该半导体基板在第1主面和与所述第1主面相对的第2主面之间具有第1导电型的漂移层，该IGBT区域和二极管区域在沿所述第1主面的第1方向上排列而设置，所述IGBT区域具有： 第2导电型的集电极层，其设置于所述漂移层和所述第2主面之间； 第1导电型的载流子积蓄层，其与所述漂移层接触而设置于所述漂移层的所述第1主面侧，与所述漂移层相比第1导电型的杂质浓度高； 第2导电型的基极层，其设置于所述载流子积蓄层和所述第1主面之间； 第1导电型的发射极层，其选择性地设置于所述基极层的表层部，具有所述第1主面的一部分；以及栅极电极，其设置为隔着绝缘膜与所述发射极层及所述基极层相对，所述二极管区域具有： 第1导电型的阴极层，其设置于所述漂移层和所述第2主面之间；以及第2导电型的阳极层，其设置于所述漂移层和所述第1主面之间，并设置至距离所述第1主面的深度比所述载流子积蓄层和所述漂移层的边界深的位置为止，所述集电极层与所述阴极层在所述第1方向上彼此相接地设置。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三菱电机株式会社，其通讯地址为：日本东京；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。