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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于新型碳化硅MOSFET结构的智能测热芯片及其版图结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114843344B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210423461.4，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权基于新型碳化硅MOSFET结构的智能测热芯片及其版图结构是由何艳静;詹欣斌;江希;袁嵩;弓小武设计研发完成，并于2022-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于新型碳化硅MOSFET结构的智能测热芯片及其版图结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于新型碳化硅MOSFET结构的智能测热芯片及其版图结构，所述芯片包括：源极、栅极、阴极、栅氧化层、第一N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、第二P‑阱区、第一P‑阱区、第二N+注入区、N‑外延区、N+衬底区、漏极、钝化层、源极接触、N+源区和漏极接触。本发明能够在碳化硅MOSFET结构中集成PIN二极管，通过PIN二极管对芯片温度进行实时监控，能够提高器件的可靠性。

本发明授权基于新型碳化硅MOSFET结构的智能测热芯片及其版图结构在权利要求书中公布了：1.一种基于新型碳化硅MOSFET结构的智能测热芯片，其特征在于，所述芯片包括： 源极1、栅极2、阴极3、栅氧化层4、第一N+注入区5、第一P+注入区6、第二P+注入区7、第二P‑阱区8、第一P‑阱区9、第二N+注入区10、N‑外延区11、N+衬底区12、漏极13、钝化层14、源极接触15、N+源区16和漏极接触17；其中，所述漏极接触17位于所述漏极13的上方； 所述N+衬底区12位于所述漏极接触17的上方； 所述N‑外延区11位于所述N+衬底区12的上方； 所述第一P‑阱区9包括左侧第一P‑阱区和右侧第一P‑阱区； 所述左侧第一P‑阱区嵌于所述N‑外延区11的左侧上方； 所述右侧第一P‑阱区嵌于所述N‑外延区11的右侧上方； 所述左侧第一P‑阱区的上方从左到右依次嵌有第一P+注入区6和第一N+注入区5； 所述右侧第一P‑阱区的上方从左到右依次嵌有N+源区16和第一P+注入区6； 所述第二P‑阱区8和所述第二N+注入区10位于所述左侧第一P‑阱区和右侧第一P‑阱区的中间，且从左到右依次嵌于所述N‑外延区11的上方； 所述第二P+注入区7嵌于所述第二P‑阱区8的上方； 所述栅氧化层4位于所述第二P‑阱区8、所述第一P‑阱区9、所述第二N+注入区10的上方； 所述源极接触15位于所述栅氧化层4的两侧； 所述钝化层14位于所述栅氧化层4的上方； 所述源极1包括第一源极、第二源极和第三源极； 所述源极1结构包括竖直部分和水平部分，其中，水平部分的宽度大于竖直部分的宽度； 所述第一源极和第二源极的竖直部分分别嵌于所述钝化层14的两侧，其水平部分位于所述钝化层14的上方； 且所述第一源极和第二源极的竖直部分分别位于源极接触15的上方； 所述阴极3和所述第三源极的竖直部分从左到右依次嵌于所述栅氧化层4和钝化层14中； 所述阴极3位于所述第二P‑阱区8的上方，所述第三源极位于所述第二N+注入区10的上方；且所述阴极3和所述第三源极位于所述第一源极和所述第二源极之间； 所述栅极2包括第一栅极和第二栅极； 所述第一栅极位于所述栅氧化层4的上方，嵌于所述钝化层14的下方，且位于所述第一源极和阴极3之间； 所述第二栅极位于所述栅氧化层4的上方，嵌于所述钝化层14的下方，且位于所述第二源极和第三源极之间； 所述源极1、所述阴极3、所述第二P+注入区7、所述第二P‑阱区8、所述第二N+注入区10和所述N‑外延区11构成PIN二极管的元胞； 所述源极1、所述栅极2、所述栅氧化层4、所述第一N+注入区5、所述第一P+注入区6、所述第一P‑阱区9、所述N‑外延区11、所述N+衬底区12、所述漏极13和所述N+源区16构成MOSFET元胞区。

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