美光科技公司S·D·唐获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利沿着栅极区具有空隙的集成组合件及形成导电结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114868247B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080089129.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权沿着栅极区具有空隙的集成组合件及形成导电结构的方法是由S·D·唐设计研发完成，并于2020-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本沿着栅极区具有空隙的集成组合件及形成导电结构的方法在说明书摘要公布了：一些实施例包含具有半导体材料结构的集成组合件，所述半导体材料结构具有第一源极漏极区、第二源极漏极区，及所述第一及第二源极漏极区之间的沟道区。所述半导体材料结构具有第一侧及相对的第二侧。第一导电结构与所述第一侧相邻，并且可操作地接近所述沟道区以门控地控制所述第一及第二源极漏极区通过所述沟道区的耦合。第二导电结构与所述第二侧相邻并且通过包含空隙的中介区与所述第二侧间隔开。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
本发明授权沿着栅极区具有空隙的集成组合件及形成导电结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种集成组合件，其包括： 半导体材料结构，其具有第一下部源极漏极区、第二上部源极漏极区，及所述第一下部源极漏极区和所述第二上部源极漏极区之间的沟道区；所述半导体材料结构具有第一侧及相对的第二侧； 第一导电结构，其与所述第一侧相邻并且操作性地接近所述沟道区以门控地控制所述第一下部源极漏极区和所述第二上部源极漏极区通过所述沟道区的耦合；及第二导电结构，其与所述第二侧相邻并且通过包含空隙的中介区与所述第二侧间隔开。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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