中国科学院物理研究所韩秀峰获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院物理研究所申请的专利自旋轨道力矩自旋霍尔器件、磁随机存储器和逻辑器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114914356B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110178201.0，技术领域涉及：H10N52/00；该发明授权自旋轨道力矩自旋霍尔器件、磁随机存储器和逻辑器件是由韩秀峰;万蔡华;何文卿设计研发完成，并于2021-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本自旋轨道力矩自旋霍尔器件、磁随机存储器和逻辑器件在说明书摘要公布了：本发明涉及自旋轨道力矩自旋霍尔器件、磁随机存储器和逻辑器件。一实施例提供一种自旋霍尔器件，包括自旋霍尔层和形成在所述自旋霍尔层上并且与所述自旋霍尔层接触的第一磁性多层膜结构，包括多个第一磁性层和位于相邻的第一磁性层之间的第一非磁中间层。所述自旋霍尔层可用于接收面内电流，以翻转所述第一磁性多层膜结构的磁矩。另一些实施例还提供自旋轨道力矩磁随机存储器和逻辑器件，其中自旋霍尔层用于翻转包括在自由磁层中的磁性多层膜结构的磁矩。本发明能够在不需要等效磁层的情况下翻转磁性多层膜结构的磁矩，从而提高了磁器件的结构简洁性和性能可靠性。
本发明授权自旋轨道力矩自旋霍尔器件、磁随机存储器和逻辑器件在权利要求书中公布了：1.一种自旋霍尔器件，包括： 自旋霍尔层；以及形成在所述自旋霍尔层上并且与所述自旋霍尔层接触的第一磁性多层膜结构，包括： 多个第一磁性层；以及位于相邻的第一磁性层之间的第一非磁中间层，其中，所述自旋霍尔层用于接收面内电流，以翻转所述第一磁性多层膜结构的磁矩，其中，所述第一非磁中间层在相邻的第一磁性层之间诱导层间DM耦合效应，以使得所述多个第一磁性层彼此DM耦合，且所述自旋霍尔层在接收面内电流时，向所述第一磁性多层膜结构施加自旋轨道力矩，从而在所述自旋轨道力矩和所述层间DM耦合效应的共同作用下翻转所述第一磁性多层膜结构的磁矩。
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