三菱电机株式会社吉嗣晃治获国家专利权
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龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114930509B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080091781.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体装置及其制造方法是由吉嗣晃治;柳生荣治设计研发完成，并于2020-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：半导体装置具备形成于基板10上的氮化物半导体层叠构造100、形成于氮化物半导体层叠构造100上的源电极104、漏电极105及栅电极106、和覆盖在氮化物半导体层叠构造100上的表面保护膜110。氮化物半导体层叠构造100包括形成于基板10上的第1氮化物半导体层101和形成于第1氮化物半导体层101上且组成与第1氮化物半导体层101不同的第2氮化物半导体层102。表面保护膜110包括以与栅电极106相接的方式形成的第1绝缘膜111以及以与第1绝缘膜111邻接的方式形成且具有比第1绝缘膜111高的碳浓度的第2绝缘膜112。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备： 基板； 氮化物半导体层叠构造，形成于所述基板上； 源电极以及漏电极，形成于所述氮化物半导体层叠构造上； 栅电极，形成于所述源电极与所述漏电极之间的所述氮化物半导体层叠构造上；以及表面保护膜，覆盖在所述氮化物半导体层叠构造上，所述氮化物半导体层叠构造包括： 第1氮化物半导体层，形成于所述基板上；以及第2氮化物半导体层，形成于所述第1氮化物半导体层上，该第2氮化物半导体层的组成与所述第1氮化物半导体层不同，在所述第1氮化物半导体层和所述第2氮化物半导体层的异质界面形成有二维电子气，所述表面保护膜包括： 含有碳的第1绝缘膜，以与所述栅电极相接的方式形成于所述氮化物半导体层叠构造上；以及第2绝缘膜，以在面内方向上与所述第1绝缘膜邻接的方式形成于所述氮化物半导体层叠构造上，具有比所述第1绝缘膜高的碳浓度，所述表面保护膜中的碳浓度以所述栅电极为中心向所述源电极或者所述漏电极的方向具有梯度。
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