北京飓芯科技有限公司付建波获国家专利权
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龙图腾网获悉北京飓芯科技有限公司申请的专利基于侧向外延技术的垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114976861B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210393704.4，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权基于侧向外延技术的垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法是由付建波;蒋盛翔;宗华设计研发完成，并于2022-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于侧向外延技术的垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于侧向外延技术的垂直腔面发射半导体激光器及制备方法。该结构的核心是通过侧向外延技术解决预置下层DBR的难题，先预置DBR，然后在DBR上开窗口，用侧向外延技术将激光器的功能区长到DBR的上方，完成下DBR的制备，然后再通过常见工艺制备上DBR和两侧的金属电极，从而形成垂直腔面激光器。电注入方向与激光出射方向垂直，可以避免紫外波段VCSEL的电流扩展层对光场吸收的影响。本发明有利于减小对器件的损伤，提高良率和器件性能；很好地利用了侧向外延技术生长的高质量材料区，提高了晶体质量，提高了发光效率和寿命；电场方向为材料的非极化方向，能够有效的减小量子限制斯塔克效应，从而抑制器件在大电压下量子效率的降低和波长漂移。
本发明授权基于侧向外延技术的垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于侧向外延技术的垂直腔面发射半导体激光器，其特征在于，从下至上依次包括衬底、下层DBR、侧向外延生长的激光器结构、上层DBR；所述侧向外延生长的激光器结构的两侧设有N电极和P电极；所述垂直腔面发射半导体激光器的电流注入方向平行于衬底，电流注入方向与出光方向垂直；所述侧向外延生长的激光器结构，依次包括N型半导体层、N侧光限制层、N侧波导层、量子阱、P侧波导层、电子阻挡层、P侧光限制层、P接触层；所述N侧光限制层、N侧波导层、量子阱、P侧波导层、电子阻挡层、P侧光限制层、P接触层的法向与所述衬底的法向垂直。
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