上海华力集成电路制造有限公司雷海波获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利金属零层的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115000003B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210571979.2，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权金属零层的制造方法是由雷海波;伏广才;朱瑜杰;叶炅翰设计研发完成，并于2022-05-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本金属零层的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种金属零层的制造方法，金属零层和底部掺杂区的金属硅化物层的形成步骤包括：步骤一、形成金属零层的沟槽；步骤二、形成非晶硅牺牲层，非晶硅牺牲层形成在沟槽的底部表面并由延伸到两侧的沟槽的侧面的底部部分并从而呈袋型形状；步骤三、形成第一金属层；步骤四、进行退火使第一金属层和非晶硅牺牲层或者非晶硅牺牲层底部的掺杂区域的硅发生硅化反应形成金属硅化物层，非晶硅牺牲层被全部消耗掉，金属硅化物层呈袋型形状且金属硅化物层的形状由非晶硅牺牲层的形状确定。本发明能很好的控制金属零层和底部掺杂区之间的金属硅化物层的大小和形状并从而控制金属硅化物层的体积和接触面积，从而降低接触电阻。
本发明授权金属零层的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种金属零层的制造方法，其特征在于，金属零层和底部掺杂区的金属硅化物层的形成步骤包括： 步骤一、形成金属零层的沟槽，所述沟槽穿过层间膜并将底部的掺杂区域的顶部表面露出且形成所述沟槽的刻蚀工艺不对底部的所述掺杂区域产生刻蚀； 步骤二、形成非晶硅牺牲层，所述非晶硅牺牲层形成在所述沟槽的底部表面并由延伸到所述沟槽的底部表面两侧的所述沟槽的侧面的底部部分使所述非晶硅牺牲层呈袋型形状； 步骤三、形成第一金属层，所述第一金属层覆盖在所述非晶硅牺牲层表面以及所述非晶硅牺牲层顶部的所述沟槽的侧面以及所述沟槽的外侧表面； 步骤四、进行退火使所述第一金属层和所述非晶硅牺牲层或者所述非晶硅牺牲层底部的所述掺杂区域的硅发生硅化反应形成金属硅化物层，所述非晶硅牺牲层被全部消耗掉，所述金属硅化物层呈袋型形状且所述金属硅化物层的形状由所述非晶硅牺牲层的形状确定。
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