买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉江西乾照光电有限公司申请的专利一种GaN LED结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115000250B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210374540.0，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种GaN LED结构及其制作方法是由霍丽艳;滕龙;吴洪浩;林继宏;刘兆设计研发完成，并于2022-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN LED结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种GaNLED结构及其制作方法，该方法在SiO2图形化蓝宝石衬底上生长GaN层之前，生长一层SiNx层，SiNx层和SiO2形成SiO2‑SiNx双层提高反射膜，可以减少LED发出的光在外延层内全反射，进而提高LED外延的外量子效率；SiAlxInyGa1‑x‑yN缓冲层多层的设计，一方面提供和SiO2图形化蓝宝石衬底有着相同取向高密度成核中心，另一方面又通过减小外延层和SiO2图形化蓝宝石衬底之间的界面自由能来促进横向生长，可以有效的降低缺陷密度，同时起到晶格过度的作用，提高LED晶体质量，进而提高LED的内量子效率；MgO钝化层设置在三维U型GaN层后，SiO2图形化蓝宝石衬底图形尖端处未被覆盖时，用于钝化图形尖端处，减少穿透位错向上延申，继而改善LED外延层的漏电性能。

本发明授权一种GaN LED结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种GaN LED结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括： 提供SiO2图形化蓝宝石衬底； 在所述SiO2图形化蓝宝石衬底的一侧表面依次生成SiNx层、至少一层SiAlxInyGa1‑x‑yN缓冲层、三维U型GaN层、MgO钝化层、二维U型GaN层、N型GaN层、多量子阱层以及P型GaN层； 其中，所述SiNx层和所述SiO2图形化蓝宝石衬底中的SiO2形成SiO2‑SiNx双层提高反射膜，以提高所述GaN LED结构的光提取效率； 其中，生长所述三维U型GaN层的方法包括： 通入TMGa、NH3、H2、N2，温度设置为1100摄氏度，在所述SiAlxInyGa1‑x‑yN缓冲层背离所述SiNx层的一侧表面生成厚度为1000~3000nm的三维U型GaN层； 生长所述二维U型GaN层的方法包括： 通入TMGa、NH3、H2、N2，温度设置为1000~1160摄氏度，在所述MgO钝化层背离所述三维U型GaN层的一侧表面生成厚度为900~1100nm的二维U型GaN层；其中Mg的通入量为50~300sccm，时间为5~60s。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江西乾照光电有限公司，其通讯地址为：330103 江西省南昌市新建区望城新区宁远大街1288号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。