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龙图腾网获悉北海惠科半导体科技有限公司申请的专利多晶硅层的炉内均匀性控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132579B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-09发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210748350.0，技术领域涉及：H01L21/285；该发明授权多晶硅层的炉内均匀性控制方法是由曲凯;史仁先;鲁艳春设计研发完成，并于2022-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本多晶硅层的炉内均匀性控制方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种多晶硅层的炉内均匀性控制方法，包括的步骤有：将多个衬底置于多晶硅沉积炉内，且至少是分布炉内的在炉口和炉尾处；将多晶硅沉积炉内的条件调节至多晶硅沉积条件，将气态的多晶硅前驱体从炉口和炉尾两端同时进气的方式导入多晶硅沉积炉内进行反应并沉积，在包括P+沟道内和连接区的表面形成多晶硅层；至少对炉口和炉尾处形成的多晶硅层厚度进行测定并获得炉内均匀性值，当多晶硅层厚度的炉内均匀性值大于预定值T，对炉尾进行升温处理或或对炉口进行降温处理。本申请控制方法能够明显改善多晶硅场板在量产过程中性能稳定，从而提高其良品率、产率和降低其成本。

本发明授权多晶硅层的炉内均匀性控制方法在权利要求书中公布了：1.一种多晶硅层的炉内均匀性控制方法，包括如下步骤： 将多个衬底置于多晶硅沉积炉内，且至少是分布炉内的在炉口和炉尾处；其中，所述衬底上设有连接区和P+环区，P+环区包括多个隔离岛，每一隔离岛呈框型并结合在所述衬底表面上，多个所述隔离岛间隔分布，并依次围合所述连接区；相邻两所述隔离岛之间形成框型P+沟道； 将所述多晶硅沉积炉内的条件调节至多晶硅沉积条件，将气态的多晶硅前驱体从所述炉口和炉尾两端同时进气的方式导入所述多晶硅沉积炉内进行反应并沉积，在包括所述P+沟道内和所述连接区的表面形成多晶硅层； 至少对所述炉口和炉尾处形成的所述多晶硅层厚度进行测定并获得炉内均匀性值，当所述多晶硅层厚度的炉内均匀性值大于预定值T，对所述炉尾进行升温处理或对炉口进行降温处理； 所述多晶硅沉积炉内设有斜温区，所述斜温区包括炉口温区、炉中温区和炉尾温区；所述炉口温区的温度高于所述炉尾温区的温度，所述炉尾温区的温度高于所述炉中温区的温度。

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